• FLTT-808-1.8W-300m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 808nm

    红外激光照明器FLTT-808-1.8W-300M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 808nm

    红外激光照明器FLTT-808-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-860-1.2W-300米红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 860nm

    红外激光照明器FLTT-860-1.2W-300M是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-940-1.8W-300m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 940nm

    红外激光照明器FLTT-940-1.8W-300M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-940-2.2W-500m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 940nm

    红外激光照明器FLTT-940-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A

    货号:V00151;裸片尺寸:0.52毫米X 0.52毫米100孔;建议的较大峰值功率连续波,100%直流:0.5W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:1W;推荐较大峰值功率5纳秒,0.1%直流:5瓦

  • 850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

    货号:V00124;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:9W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

    货号:V00133;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:78W

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • VCSEL评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

    VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间(TOF)和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作,并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。 评估模块安装了850 nm(V00133)和940 Nm(V00132)VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动,这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息,请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建,以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热,存在大热结合焊盘,从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组,以改善到驱动器电路的电荷输送,用于更高的占空比(DC)操作。

  • V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00140,是波长为895nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.61mA,正向电流为1.4mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4.6GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • HV85-0001G1 Pre 2.0 半导体激光器
    韩国
    厂商:Optowell
    储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW

    850 nm高斯光束VCSEL芯片,具有高可靠性和低电流操作的特点,可根据要求提供其他配置。

  • VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/s

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品,供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触,使用地-源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • VM50-940-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA

    这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。