1060nm多模偏振不敏感光环行器是一种紧凑的高性能光波组件，可将输入信号从端口1路由到端口2，并将输入端口2信号路由到端口3。该组件提供高隔离度、低插入损耗、低PDL、低PMD和出色的环境稳定性。

有源光通信-光电二极管模块。10Gbps APD至突发模式TIA。

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3端口偏振不敏感光环行器采用专有设计和金属键合微光学封装。它提供了低插入损耗，宽带高隔离度，低PDL，出色的温度稳定性和光程环氧树脂免费。它可用于波长分插、色散补偿和EDFA应用。

4端口偏振不敏感光环行器采用专有设计和金属键合微光学封装。它提供了低插入损耗，宽带高隔离度，低PDL，出色的温度稳定性和光程环氧树脂免费。它可用于波长分插、色散补偿和EDFA应用。

DLR1160光音频TOSLINK SPDIF光发射单元是一款标准封装产品，带有连接器和光电元件，封装有LED和驱动IC。单元的功能是将电信号转换为光信号，并通过塑料光纤传输。该单元工作在+2.7V~+5.5V电压下，输入信号兼容TTL。DLR1160的较大运行速度为16 Mbps。光信号通过连接器耦合到塑料光纤中。该单元具有低功耗、稳定的光输出和高效的光耦合性能。

我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

有源光通信-光电二极管模块。2.5Gbps APD Rosa。

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光接收单元是标准封装产品，带有连接器和光电元件，封装有PD和I/V放大器IC。单元的作用是将光信号转换成电信号。该装置工作电压为+5V，输入信号与TTL兼容。DLR21E0的较大运行速度为25 Mbps。

替代东芝TORX发射器的POF光纤TOSLINK发射器模块-DLT2180是一种标准封装产品，带有连接器和光电元件，封装有PD和I/V放大器IC。单元的作用是将光信号转换成电信号。该装置工作电压为+5V，输入信号与TTL兼容。DLR2180的较大运行速度为25 Mbps。

3端口偏振不敏感光环行器采用专有设计和金属键合微光学封装。它提供了低插入损耗，宽带高隔离度，低PDL，出色的温度稳定性和光程环氧树脂免费。它可用于波长分插、色散补偿和EDFA应用。

偏振不敏感光环行器采用专有设计和金属键合微光学封装。它是一种紧凑的高性能器件，具有高隔离度、低插入损耗、低PDL、高稳定性和可靠性。它与光纤光栅和其他反射元件一起广泛应用于DWDM系统、波长分插、高速系统、双向通信系统、色散补偿、EDFA应用和光时域反射计（OTDR）测量中。

线性阵列

（1）器件：激光二极管（2）结构：TO-18（5.6mm），带无铅玻璃帽，PD

（1）器件：激光二极管（2）结构：TO-18（5.6mm），带无铅玻璃帽，PD

VP-71MC是业界公认的VP系列的较新成员，是一款全新的7100万像素分辨率CMOS相机，具有Camera Link接口。VP-71MC采用了CMOSIS较新的7100万像素CMOS成像传感器（CHR 70M）技术，并在全分辨率下提供4fps的帧速率。该热像仪采用热电珀尔帖（TEC）冷却技术，该技术是为许多要求苛刻的医疗市场客户开发并使用的。TEC将CMOS成像传感器的工作温度保持在低于环境温度20度的范围内。该相机提供稳定的操作条件或长时间曝光的能力，以提高相机的灵敏度。这款相机具有稳定的工作能力和高分辨率，非常适合要求苛刻的应用，如FPD、PCB和半导体检测。

OKO推出了一款96通道25.4 mm薄膜变形镜，带有嵌入式控制电子设备。该设备具有坚固紧凑的外壳，尺寸为90 X 90 X 43 mm（体积约为0.35L），由单个USB连接供电和控制。该反射镜具有19μm的全偏转和2kHz的较大更新速率。随着该DM的开发，OKO可以构建一个不需要任何外部电源的完整AO系统，因为WF传感器和DM的所有电源都是通过控制计算机的可用USB端口提供的，一个完整的96通道AO系统的总功耗不超过5 W。如果有兴趣，请通过电子邮件oko@okotech.com或使用左侧的联系表格与我们联系。

1064nm高功率环行器是一种高性能光波组件，它将输入信号从端口1路由到端口2，并将输入信号从端口2路由到端口3。它们具有低插入损耗、高隔离度、高功率处理能力、高回波损耗、低PDL、低PMD、出色的环境稳定性和可靠性等特点。它们是光纤激光器和仪器应用的理想选择。如果您没有看到满足您需求的标准循环器，我们很高兴有机会查看您所需的规格，并对定制循环器进行报价。对定制光纤尾纤、不同波长和操作处理能力或其他特定需求的要求将很容易解决。

可以应用各种金属化方案来形成导体、整体电阻器、焊料阻挡层、焊料坝等，Au和阻挡层厚度取决于应用。通常，对于Au线键合，至少需要0.5µm的Au。对于Pt或PD阻挡层，通常规定较小值为0.2µm。部件的正面和背面可以使用预先钻出的金属化通孔进行电互连。典型孔径=基材厚度。也可以用围绕一个或多个侧壁以连接顶面和底面的金属化来制造平底座。在适当考虑工艺限制和成本的情况下，也可以在图案化的安装件上实现环绕连接。