• NDV4512高功率405nm 250mW紫激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 250mW

    详细信息:NDV4512高功率405nm 250mW紫光激光二极管特点光输出功率:200mW,较大250mW多横模CAN类型:φ5.6,带光电二极管绝对较大额定值光输出功率:250mWLD反向电压:5VPD反向电压:20V储存温度:-35~85°C工作箱温度:*0~30°C建议工作温度在20~30°C范围内。激光的安全性:激光会损伤人的眼睛和皮肤。不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时,请佩戴适当的安全眼镜,以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对采用和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。

  • 日亚NDV4642 200mw 405nm激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 200mW

    全新的日亚NDV4642200mW 405nm激光二极管。静电放电预防措施名称:全新原创蓝紫激光二极管原产地:日本输出功率:CW 100MW-250MW波长:405nm工作电流:100mA工作电压:4.5V封装:3.8mm工作寿命:10000小时以上

  • 日亚NUBM44 450nm 6w 9mm 全新产品 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.450um 输出功率: 6000mW

    日亚NUBM44 450nm 6W 9mm全新NUBM44是一款发射6W功率的445nm激光二极管。它是目前所有9mm TO-CAN(TO-5封装)激光二极管的较高功率。尽管NUBM44的典型中心波长为445nm,但在某些文献中,它有时被称为450nm激光二极管。尽管这是一个多模激光二极管,但它具有极窄的波导,这使得它几乎具有任何高功率半导体激光器的较低光学扩展量(给定光束直径的远场发散度)。与其他高功率激光二极管相比,窄发射极宽度使其能够更好地准直和聚焦。-6.0W蓝色激光二极管,波长445nm-高度可聚焦且能够很好地准直-紧凑型TO-5(9mm)TO-CAN封装-0C至65C的宽工作温度范围-氮化镓蓝色激光技术可延长高温下的使用寿命设计波长:445 nm工作电流典型值[A]:3 A工作温度范围:0至+60°C工作电压:3.7-5.2 V封装:TO-5阈值电流:150-350 mA存储温度范围:-40至85°C20°C时的光功率[W]:6 W估计寿命:10000小时与其它高功率半导体激光器相比,这种蓝色激光二极管相对不受工作温度的影响,并且具有0℃至65℃的外壳工作温度范围。NUBM44在25℃下的典型寿命为20,000小时。然而,如果蓝色激光器的外壳温度被加热到65℃,则寿命仅降低很小的系数。由于较近开发的氮化镓激光技术,这是先进可能的。目前用于红光和近红外激光二极管的砷化镓激光技术不能在高温下实现低的长期退化水平。因此,这种蓝色激光二极管是各种环境和应用的可靠选择。此外,该GaN激光器具有特殊的TO-5(9mm)封装,这使其具有比该功率水平下的激光二极管通常可能的热阻更低的热阻。9毫米的TO-CAN也是密封的,可以保护半导体激光器芯片免受灰尘和其他污染。相比之下,高功率红光和NIR激光二极管通常需要C-Mount封装,其具有暴露的刻面,如果不在洁净室环境中操作,则会出现可靠性问题。

  • 日亚紫光405nm-450nm激光二极管NDV4632 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.425um 输出功率: 250mW

    日亚紫405nm-450nm激光二极管NDV4632特点:光输出功率:250mW(@TC=25℃)单一模式CAN类型:5.6,带光电二极管。绝对较大额定值:光输出功率(@TC=25℃)*:250mWLD反向电压:2V储存温度:-40~90℃工作环境温度:-10~80℃初始电/光特性(TC=25℃)光输出功率:100 MW峰值波长:410nm阈值电流:60mA工作电流:130mA坡度效率:1.9W/a工作电压:5.5V

  • 日亚紫光405nm-450nm激光二极管NDV4B16 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 300mW

    日亚紫405nm-450nm激光二极管NDV4B16特点:光输出功率:连续波300mW(@TC=25℃)峰值波长:405nmCAN类型:5.6浮动安装,带光电二极管和齐纳二极管。绝对较大额定值:光输出功率(@TC=25℃)*:360mW允许反向电流:85mAPD反向电压:5V储存温度:-40~85℃工作环境温度:0~70℃初始电/光特性(TC=25℃)光输出功率:300 MW峰值波长:410nm阈值电流:35mA工作电流:250mA坡度效率:1.9W/a工作电压:5.8V

  • TO38 405nm 320mw日亚NDV4542蓝紫色激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 320mW

    TO38 405nm 320mW NICHIA NDV4542蓝紫激光二极管 特征: 光输出功率:脉冲320m W罐型:φ浮式安装 峰值波长:405nm 绝对较大额定值 光输出功率:250 MW(连续),400mW(脉冲) LD反向电压:2V 储存温度:-40~85°C 工况温度:-10~80°C 脉冲条件:脉宽30ns,占空比50% 激光安全 激光会损伤人的眼睛和皮肤,不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时,请佩戴适当的安全眼镜,以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对纳入和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。

  • NDA4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 468 to 478 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.7 V 工作电流: 0.12 A

    NDA4116是一种波长为468~478 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为5.7 V,工作电流为0.12 A,阈值电流为20~45 mA的半导体激光器。有关NDA4116的更多详细信息,请联系我们。

  • NDA7175E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 468 to 478 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 4 V 工作电流: 0.9 A

    NICHIA公司的NDA7175E是波长为468至478 nm的激光二极管,输出功率为1 W,工作电压为4 V,工作电流为0.9 A,阈值电流为60至200 mA.有关NDA7175E的更多详细信息,请联系我们。

  • NDB4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 450 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.3 V 工作电流: 0.1 A

    NDB4116是一种波长为440~450nm,输出功率为0.1W,工作电压为5.3V,工作电流为0.1A,阈值电流为10~50mA的半导体激光器。有关NDB4116的更多详细信息,请联系我们。

  • NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDBA116T 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 455 nm 输出功率: 0.03 W 工作电压: 7.1 V 工作电流: 0.23 A

    NDBA116T是日本日亚公司生产的波长为450~455nm的激光二极管,输出功率为0.03W,工作电压为7.1V,工作电流为0.23A,阈值电流为210mA.有关NDBA116T的更多详细信息,请联系我们。

  • NDE4116E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 503 to 507 nm 输出功率: 0.08 W 工作电压: 6.5 V 工作电流: 0.16 A

    NDE4116E是日本Nichia公司生产的波长为503~507nm的激光二极管,输出功率为0.08W,工作电压为6.5V,工作电流为0.16A,阈值电流为40~80mA.有关NDE4116E的更多详细信息,请联系我们。

  • NDG4216 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 510 to 520 nm 输出功率: 0.08 W 工作电压: 6.5 V 工作电流: 0.2 A

    NDG4216是日亚公司生产的波长为510~520nm的激光二极管,输出功率为0.08W,工作电压为6.5V,工作电流为0.2A,阈值电流为60~100mA.有关NDG4216的更多详细信息,请联系我们。

  • NDS1316 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 483 to 493 nm 输出功率: 0.03 W 工作电压: 6.2 V 工作电流: 0.08 A

    NDS1316是日本Nichia公司生产的波长为483~493nm的激光二极管,输出功率为0.03W,工作电压为6.2V,工作电流为0.08A,阈值电流为18~35mA.有关NDS1316的更多详细信息,请联系我们。

  • NDS4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 483 to 493 nm 输出功率: 0.06 W 工作电压: 5.6 V 工作电流: 0.1 A

    NDS4116是日本日亚化学工业株式会社生产的波长为483~493nm的半导体激光器,输出功率为0.06W,工作电压为5.6V,工作电流为0.1A,阈值电流为30~50mA.有关NDS4116的更多详细信息,请联系我们。

  • NDS4216 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 483 to 493 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 6 V 工作电流: 0.27 A

    NDS4216是一种波长为483~493nm,输出功率为0.2W,工作电压为6V,工作电流为0.27A,阈值电流为25~70mA的半导体激光器。有关NDS4216的更多详细信息,请联系我们。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • NDU4316E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 390 to 400 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.5 V 工作电流: 0.1 A

    NDU4316E是一种激光二极管,其波长为390至400 nm,输出功率为0.12 W,工作电压为4.5 V,工作电流为0.1 A,阈值电流为28至50 mA.有关NDU4316E的更多详细信息,请联系我们。

  • NDU7216 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 4.4 V 工作电流: 0.39 A

    NDU7216是一种激光二极管,其波长为370~380nm,输出功率为0.2W,工作电压为4.4V,工作电流为0.39A,阈值电流为100~250mA.有关NDU7216的更多详细信息,请联系我们。

  • NDUA116T 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 390 to 400 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 4 V 工作电流: 0.053 A

    NDUA116T是日本Nichia公司生产的波长为390~400nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为4V,工作电流为0.053A,阈值电流为43mA.有关NDUA116T的更多详细信息,请联系我们。