氧化铝陶瓷（Aluminum Oxide或Al2O3）是一种性能优异的电绝缘体，也是应用较广泛的先进陶瓷材料之一。此外，它极耐磨损和腐蚀，是一种只有通过金刚石研磨才能形成的工业陶瓷。熔点非常高，为2，072°C，并且非常坚硬。氧化铝元件可广泛应用于电子、泵元件和汽车传感器等领域。

索耶技术材料有限责任公司（Sawyer Technical Materials，LLC）较近将我们的水热晶体生长技术应用于各种催化材料的合成。该技术可以独特地应用于材料的生产，使得能够对给定材料内的催化位点的类型、位置、密度和可及性进行目标控制，达到通过其它合成技术很难（如果不是不可能的话）实现的程度。这些产品的进步都是独特的应用，需要与客户密切合作。我们已经成功地使用这种技术生产了各种各样的无机催化材料。我们较近在催化材料的商业开发方面取得了惊人的成功，包括：具有定制的表面积、孔容和孔径分布的高纯度α-氧化铝载体具有可控形貌和优良缺陷结构的纳米氧化锌粉体沸石L、NaP1、β、丝光沸石、ZSM-5等高纯度α-氧化铝粉末，具有多种尺寸、形态（包括纤维）和化学成分（掺杂剂）α-氧化铝/过渡氧化铝复合材料特种氧化铝，即α-氧化铝/勃姆石复合粉末广泛的金属氧化物和金属铝酸盐（ZnAl2O4等）

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1270-1330nm激光二极管，采用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出，适用于各种光电系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电子器件系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用SOT-148外壳（内置监控光电二极管）、TO-3外壳（内置监控光电二极管）、TECAND热敏电阻和C型安装。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器，采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。

FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1300D是连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S 1550D是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。