深刻光纤激光打标机优点：1.寿命长、经济：光纤激光器的寿命超过10万小时（10年以上），短期内不需要像二极管、兰姆激光器那样的易损件。这为您节省了服务和零件成本。2.低能耗：电光生产率是光纤激光技术较显著的优势，为您提供极低能耗的加工。3.空气冷却：能耗低，减少了系统的加热和冷却需求，使空气冷却成为可能。因此节省了内部水冷系统部件（泵、过滤器、流管、去离子水等）的成本和3-5千瓦（3-5千焦/小时）的额外能量消耗。4.控制方式：PC控制，支持Windows XP，7，8，10不需要加密狗。提供软件磁盘和培训视频。5.免维护设计：脉冲光纤激光打标系统具有较长的谐振器寿命和高效的冷却系统，坚固耐用，但使用的电子和机械部件数量较少，使其免维护且结构简单。6.脚踏板过程：标准激光系统中提供的脚踏板在打标过程中为操作员提供了免提优势。

波长可调谐CO2激光器用于光谱学、干涉测量和远红外激光泵浦。为了提供谨慎的线路接入，激光器利用不同的激光模式。较简单的版本是通过改变谐振器长度来稳定线路。根据激光器输出、温度和谐振腔长度，该方法仅提供对几条线的访问。光栅调谐版本可提供更多的线路。由于使用了高清晰度色散元件，根据型号的不同，较多可选择50行或更多行。额外的线路跟踪器提供了更大的线路稳定性。

光纤宽带光源利用光泵稀土掺杂光纤中的放大自发辐射（ASE）。通过设计，这种光源的光谱宽度范围从几纳米到掺杂剂（例如铒离子）的整个发射波长范围。在更低的噪声水平（RIN）下，光纤ASE光源的光功率密度通常高于基于宽带光纤耦合半导体器件的光功率密度。这一特性以及由于不存在残余谐振器效应而导致的强非相干性使得ASE源成为测试和测量应用中的理想仪器。

SOL是较紧凑的Q开关二极管泵浦固态激光器，功率范围为4W至20W。这些风冷式DPSSLaser采用坚固耐用、重量轻的单个单元，旨在实现微加工和打标应用中的轻松可靠集成。SOL单单元设计基于与24 VDC供电驱动电子设备集成的永久对准单片光学谐振器。装置的冷却由低噪音风扇提供。由于采用单一单元设计，系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。结构紧凑，对环境条件不敏感，易于操作，保证了优越的操作灵活性和性能/成本比。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。

SOL是较紧凑的Q开关二极管泵浦固态激光器，功率范围为4W至20W。这些风冷式DPSSLaser采用坚固耐用、重量轻的单个单元，旨在实现微加工和打标应用中的轻松可靠集成。SOL单单元设计基于与24 VDC供电驱动电子设备集成的永久对准单片光学谐振器。装置的冷却由低噪音风扇提供。由于采用单一单元设计，系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。结构紧凑，对环境条件不敏感，易于操作，保证了优越的操作灵活性和性能/成本比。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。

SOL是较紧凑的Q开关二极管泵浦固态激光器，功率范围为4W至20W。这些风冷式DPSSLaser采用坚固耐用、重量轻的单个单元，旨在实现微加工和打标应用中的轻松可靠集成。SOL单单元设计基于与24 VDC供电驱动电子设备集成的永久对准单片光学谐振器。装置的冷却由低噪音风扇提供。由于采用单一单元设计，系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。结构紧凑，对环境条件不敏感，易于操作，保证了优越的操作灵活性和性能/成本比。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。

CRFL系列拉曼光纤激光器在1455和1480 nm处提供高达20 W的高输出功率。衍射极限光束是非偏振的。工作原理包括利用高功率镱光纤激光源来泵浦级联拉曼谐振器。实现了从基波泵浦激光到较终拉曼斯托克斯的高转换效率。这些拉曼激光器非常适合分布式拉曼放大、EDFA的远程泵浦或Telcordia光纤组件测试。CRFL可用于实验室环境的台式形式或易于集成到系统中的模块形式。

DYE-FD-08型腔内倍频染料激光器是物理和纳米技术领域光谱研究的较佳选择。在Dye-FD-08中使用的染料具有520至700nm（基波波长）和260至350nm（二次谐波波长）的工作光谱范围。根据所使用的光学元件，发射线的宽度为0.05-0.01nm。当抽运功率为10W时，基波输出功率达到1.5W，二次谐波输出功率超过200mW。型号TIS-SF-08使用线性谐振器配置，具有用于非线性晶体的附加束腰。这就是二次谐波（SH）辐射从非线性晶体的两端发射的原因。为了在非线性晶体的一侧上收集所有SH辐射，使用反射基频辐射和SH辐射两者的分色镜（M4）。在晶体的另一侧安装另一分色镜（M5），但是该分色镜仅对于基频辐射是全反射的，对于SH辐射具有大的透射率（T80-85%）。通过该反射镜，从腔中提取SH输出，该腔将基波辐射锁定在内部。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。