激光功率探测器在2x2mm2上测量高达500mWGreenteg在其产品组合中增加了一款微型激光功率探测器瑞士，2016年1月-Greenteg进一步将其激光功率传感技术小型化，用于OEM应用。灰色B0.5-SC在仅2×2 mm2的表面上测得高达500 MW。该探测器可作为裸片组件或安装在PCB上，便于OEM系统集成。由于其尺寸小，该探测器特别适用于激光源内部的测量。Greenteg将在Photonics West 2016的4356号展位展示该探测器。灰色B0.5-SC探测器没有角度依赖性（±30°），并且在从190nm到15μm的光谱范围内测量。该探测器可以像SMD元件一样进行回流焊接，从而实现简单的机械和电气系统集成。在更高的体积下，B0.5-SC是较具成本效益的探测器之一。有关Greenteg激光功率探测器的更多信息，请访问灰度激光功率探测器产品组合Gray B0.5-SC补充了Greenteg的封装、安装和裸片激光功率探测器产品组合。Greenteg的探测器基于热电堆技术。专利工艺能够生产厚度为0.6毫米的探测器。这使得在有限的环境中容易集成，并且小于一秒的快速上升时间导致激光工艺的改进控制和降低成本。

多横模680nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长：680nm；裸片尺寸：0.22毫米X 0.22毫米；单孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；

波长：940nm；裸片尺寸：0.175 mm X 0.215 mm3个光圈；建议较大峰值功率CW，100%DC：15 MW；

货号：V00151；裸片尺寸：0.52毫米X 0.52毫米100孔；建议的较大峰值功率连续波，100%直流：0.5W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：1W；推荐较大峰值功率5纳秒，0.1%直流：5瓦

货号：V00027；裸片尺寸：0.87毫米X 0.87毫米281孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

货号：V00124；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：9W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

货号：V00029；裸片尺寸：1.26毫米X 1.26毫米770孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

货号：V00133；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：78W

货号：V00059；裸片尺寸：0.87mm X 0.87mm 281孔径；建议较大峰值功率CW，100%DC：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

货号：V00081；裸片尺寸：0.9毫米X 1.00毫米550孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：8W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

货号：V00155；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（2J）；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：10W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：75W

货号：V00156；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（3J）；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：110W

货号：V00063；裸片尺寸：1.26mm X 1.26mm 770孔径；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：11W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

货号：V00155；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：76W

Teledyne Imaging的IC-49-12K2F-00-R是一款CMOS图像传感器，分辨率为12288 X 2（每个全色波段）和3072 X 4（每个多光谱波段）像素。它有一个全局快门，可提供38 kHz（全色波段）和9.5 kHz（多光谱波段）的最大线速率，并具有65 dB以上的动态范围。这款前照式图像传感器的像素尺寸为7µm X 7µm（全色波段）和28µm X 28µm（多光谱波段），RMS噪声高达34 e-（全色波段）和100 e-（多光谱波段）。它具有70k e-（对于Pb）和280k e-（对于Ms）的全阱容量和高达4 nA/cm²的平均暗电流。IC-49-12K2F-00-R在CMOS芯片上结合了电荷域时间延迟积分（TDI）CCD功能，提供了两种技术的最佳选择。它具有四个滤波多光谱波段和两个全色波段，全部集成在一个CMOS芯片和封装中。每个多光谱波段的水平分辨率为3072，每个全色波段的水平分辨率为12288，加上横向抗晕光（LAB）和连续垂直时钟，这些传感器保证了具有非常高的调制传递函数（MTF）的出色图像。在水平和垂直方向上具有半像素（3.5μm）偏移的两个全色波段允许超分辨率成像以进一步提高分辨率。它可以通过CML接口进行控制，并使用12位片内ADC进行输出。该图像传感器功耗为6 W，采用裸片封装。它是地球观测、遥感和空中侦察应用的理想选择。

ON Semiconductor的AR0233AT是一款用于ADAS和观察系统的260万像素HDR+LFM汽车CMOS图像传感器。该传感器采用3 mm背照式（BSI）像素，提供大于140 dB的动态范围，在低光照条件下表现出色。它具有2048 X 1280的活动阵列大小，每秒60帧的1080p输出。新的像素技术包括LED闪烁抑制（LFM），同时保持高动态范围输出，限制LED照明和交流电源的闪烁现象，这对于摄像机监控系统（CMS）应用以及机器视觉算法尤为重要。AR0233AT提供多种汽车认证封装选项，包括iBGA、CSP和裸片。它符合ISO26262的ASIL-B安全设计标准，并支持相机系统的ASIL-B或更高的安全等级。

ADI公司的ADSD3100是一款100万像素CMOS图像传感器，有源像素阵列尺寸为1024（H）X 1024（V）。这款基于2D/3D飞行时间（TOF）的图像传感器的像素尺寸为3.5μm X 3.5μm，支持1/3.6英寸光学格式。它由模数转换器（ADC）、像素偏置电路、传感器控制逻辑电路和光带通滤波器组成。该图像传感器可通过支持1、2和4数据通道的4线SPI、2线I2C串行和MIPI CSI-2发送器接口进行控制。它需要1.27 V和3.3 V的双直流电源，可编程速率最高可达每通道1.5 Gbps.该图像传感器以裸片形式提供，尺寸为5.364 X 9.799 mm，是智能手机、AR/VR、机器视觉系统和机器人应用的理想选择。

STMicroelectronics的VD55G0是一款CMOS图像传感器，分辨率为640 X 600像素。它具有1/9英寸光学格式的全局快门，在全分辨率下可提供高达210 FPS的帧速率，在VGA分辨率下可提供高达260 FPS的帧速率。这款3D堆叠式图像传感器基于BSI像素技术，支持全CDTI（电容深沟槽），并提供出色的QE（量子效率）、高达近IR的MTF（调制传递函数）和PLS（快门效率）。它可以通过快速模式+I2C接口进行控制，并使用单通道发射器MIPI CSI-2（每通道1.2 Gbps）进行输出。VD55G0支持自动暗校准、动态缺陷校正和镜像/翻转读出功能。它集成了温度传感器，支持模拟分档、2倍/4倍分档和二次采样功能。这款图像传感器采用紧凑型裸片封装，尺寸为2.6 X 2.5 mm，非常适合高性能计算机视觉应用，包括AR/VR、个人和工业机器人、无人机、条形码、生物识别、手势、嵌入式视觉、场景识别、红外传感等。

Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管，工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW，斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm，光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中，经过设计和测试，可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA，反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源，消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装，尺寸为0.25 X 0.25 mm，非常适合工业和航空航天应用。

Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管，工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm，最小小信号带宽为7.5GHz，斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安，光束发散半角为13度，微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源，并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装，非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。