GaSe在0.65和18μm处有带边，已成功地用于Co_2激光的有效倍频，脉冲Co_2和化学DF激光（λ=2.36μm）辐射的倍频；Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换；通过钕和红外染料激光或（f）-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲；OPG光产生在3.5–18μm范围内；100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构（沿（001）面劈裂）限制了应用领域，因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

GaSe在0.65和18μm处有带边，已成功地用于Co_2激光的高效倍频，脉冲Co_2和化学DF激光（λ=2.36μm）的倍频；Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换；通过钕和红外染料激光或（f）-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲；OPG光产生在3.5–18μm范围内；100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构（沿（001）面劈裂）限制了应用领域，因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

GaSe在0.65和18μm处有带边，已成功地用于Co_2激光的高效倍频，脉冲Co_2和化学DF激光（λ=2.36μm）的倍频；Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换；通过钕和红外染料激光或（f）-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲；OPG光产生在3.5–18μm范围内；100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构（沿（001）面劈裂）限制了应用领域，因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。