Accufiz Fizeau干涉仪提供无与伦比的性能、质量和价值组合，用于精确、可重复测量表面形状和透射波前质量。Accufiz激光干涉仪非常容易在有限的实验室空间中使用。紧凑、轻便的设计具有极高的刚性，可在任何方向或环境中实现较大的稳定性。波长范围为355 nm至1.064µm，孔径范围为33至800 mm，采用水平和垂直安装配置，为各种应用和预算提供了合适的选择。可选的600万像素高分辨率相机可捕捉任何商用干涉仪的较高斜率。测量非球面、自由曲面光学元件和高度像差元件。可选的表面隔离源（SIS）增加了测量平面平行光学器件的能力，无需涂层或背面处理以消除不必要的反射。在薄至300µm的光学器件上量化形状光学厚度、透射波前误差和均匀性。

通过激光光片（三角测量）技术获取高度轮廓和高度图像，将激光线投射到物体上，通过相机核心评估产生的传感器图像，并将其转换为单个高度轮廓。通过在物体上扫描激光线，可以获取物体的完整高度图像。相机能够在相机内部完成3D计算，使其能够每秒获取高达32000个轮廓。为了获得较大的灵活性，包括三种轮廓算法，而轮廓的选择不会影响轮廓速度。这导致配置文件数据始终以相同的较大速度输出。此外，3D传感器使用全局快门，同时曝光所有像素，从而获得非常清晰的图像。该相机支持HDR-3D技术，该技术能够通过多斜率和多帧读出来读出传感器，使相机能够达到高达90dB的动态，甚至扫描具有不均匀反射率特性的材料和表面。C4传感器能够在不牺牲轮廓速度的情况下提供位置数据以及附加功能（如强度、线宽）。相机的另一个特点是可以设计多达四个传感器Aoi，用于将传感器划分为单独的子窗口。快速3D测量的另一个关键属性是传感器的高感光度及其在NIR光谱中的增强灵敏度。该相机具有千兆以太网接口（GigE Vision兼容），与GenICam协议相结合，将其集成所需的工作量降至较低。通过即插即用，以非常快速和简单的方式完成配置，并且使用标准接口访问相机，从而不再需要使用制造商特定的软件库。

Onyx Optics宣布推出HYRAX，这是一种Ho：YAG激光系统，采用Onyx的专利无粘合剂Bond®技术，在2.1µm下以较高效率运行。在抽运功率为23.7W、脉冲宽度为35ns、重复频率为10kHz的连续波TM：光纤激光器的条件下，该系统获得了18.6W的平均输出功率和M2<1.2的光束质量。该系统也可以在其他重复率或连续波模式下工作，而不会显著改变功率水平。2.1µm Ho：YAG激光器可用于泵浦中红外ZGP OPO，也是激光遥感和医疗手术的重要激光源。迄今为止，大多数报道的TM：激光器泵浦的Ho：YAG激光器系统具有大约60%的斜率效率，而一些可以达到70%以上。Onyx Optics采用AFB®Ho：YAG激光复合材料和4通道端面泵浦设计，成功将激光斜率效率提高至81%（光光转换效率为78%）的历史新高。考虑到约9%的量子亏损和不可避免的腔损耗，我们认为81%的斜率效率已经接近TM：激光泵浦Ho：YAG激光器的理论极限。

Er：YAG是一种性能优良的2.94μm激光晶体，广泛应用于激光医疗等领域。Er：YAG晶体是产生3nm激光的较主要材料，并且具有斜率高、可在室温下工作的激光、激光波长在人眼安全波段范围内等优点。2.94mm Er：YAG激光已广泛应用于医学领域的外科手术、皮肤美容、牙科治疗等。

掺杂到绝缘激光晶体中的Ho：YAgHo3+离子具有14个流形间激光通道，工作在从CW到锁模的时间模式中。Ho：YAG通常被用作从5I7-5I8跃迁产生2.1μm激光发射的有效手段，用于诸如激光遥感、医疗手术和泵浦中红外OPO以实现3-5微米发射的应用。直接二极管泵浦系统和TM：光纤激光器泵浦系统已经表现出高斜率效率，一些接近理论极限。

FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用11.4mm外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，配有监控光电二极管以稳定功率输出。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-910X是910nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M 910X光源是一款CW多模式注入半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。