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中心波长: 1064nm 重复频率: 10 - 10 kHz 脉冲能源: 0.01mJ 脉冲持续时间: 1000fs 极化: Unspecified
被动调Q微片固态激光器(微片激光器)是一种方便的短脉冲发射源(0.5至1ns),具有高脉冲能量(10μJ)和接近衍射极限的光束质量。微芯片激光器的应用可以通过使用一个或多个放大器级增加其脉冲能量和平均功率来显著扩展,但前提是放大器保持微芯片发射的固有光束质量和其他所需属性。我们已经证明,双通VHGM放大器可以将1064nm微芯片振荡器的脉冲能量和平均功率分别增加到500uJ和5W以上,同时保持微芯片激光器的光束质量和发射光谱。下图显示了2通放大器的平均1064nm输出功率与放大器驱动电流(在10kHz的脉冲率下)的关系,并且是注入到2通放大器中的1064nm种子功率的函数。放大器中的较大808nm泵浦功率为40W。考虑到将种子功率减少10倍(至约10mW)导致放大器输出功率减少不到2倍,2通放大器在100mW种子功率下很好地饱和。在2通放大器的输出端不需要法拉第隔离器,而在其他设计中经常需要法拉第隔离器来将2通放大光束与输入种子光束分离,从而导致更紧凑、更高效和更低成本的MOPA系统。在JG Manni,Optics Communications 252:117-126(2005)中提供了更多细节。微芯片激光振荡器现在是商业上可获得的,其可以在200ps脉冲持续时间中产生10nJ脉冲能量,并且在100ps脉冲中产生4nJ脉冲能量。(见www.batop.de)我们计划将这种微芯片激光器与我们的双通道VHGM放大器配对,并将在此网页上报告我们的结果。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0 - 0.1 kHz 脉宽: 0.9ns 脉冲间稳定性: 2%
AlphaLas提供了宽范围的被动调Q激光器,其脉冲持续时间低于1ns,在1064nm处具有极高的峰值功率,并具有极好的TEM光束轮廓。Pulselas®-P激光器采用专有微芯片设计。单片激光腔是永久对准的,因此非常稳定。高能型号提供超过1.5 MJ的脉冲,脉冲持续时间为1 ns,导致较高峰值功率>1.5 MW,可直接从微芯片激光器的振荡器(无放大器)获得。各种型号的重复率高达100 kHz,平均功率范围为100 MW至1 W。内置频率发生器和外部TTL触发是大多数型号的标准功能。还可选择转换为绿色(532 nm)和紫外线(355 nm,266 nm)。极其可靠和坚固的微芯片设计非常适合先进的OEM工业应用。紧凑的设计较适合几乎任何系统集成。光纤泵浦选项提供了更多的紧凑性和灵活性。这些独特的激光器具有极其广泛的应用范围,从光子晶体光纤中的超连续谱产生到内燃机点火和微加工。