• SLD332F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 3.0 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至3.0 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至3 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管,波长为795至840 nm,输出功率为2 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为2.2至3.6 A,阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为5 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为5.2至6.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为4.3至5.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为0.75 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为4.6至6.5 A,阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD344YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为6 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为7至9 A,阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为20 W,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为25至30 A,阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD432S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.9 to 2.8 V

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为40 W,工作电压为1.9至2.8 V,工作电流为50至55 A,阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD433S4 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 60 W 工作电压: 2.5 V

    SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为60 W,工作电压为2.5 V,工作电流为75至85 A,阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息,请联系我们。

  • LNC728MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 777 to 791 nm 输出功率: 0.2 to 0.38 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic Corporation的LNC728MS01WW是一款激光二极管,波长为777至791 nm,输出功率为200至380 MW,输出功率为0.2至0.38 W,工作电压为2至3 V,工作电流为0.18至0.265 A.有关LNC728MS01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • LNC728PS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 777 to 791 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 2.5 to 3 V

    LNC728PS01WW是Panasonic公司生产的激光二极管,波长777~791nm,输出功率0.2W,工作电压2.5~3V,工作电流0.21~0.275A,阈值电流45~70mA.有关LNC728PS01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • LNCT22PK01WW 半导体激光器
    日本
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 输出功率: 0.28 to 0.38 W 工作电压: 2.3 to 3.2 V

    Panasonic公司的LNCT22PK01WW是波长为656 nm(红光)至791 nm(红外)的激光二极管,输出功率为0.28至0.38 W,工作电压为2.3至3.2 V,工作电流为0.16至0.23 A,阈值电流为60至95 mA.有关LNCT22PK01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • LNCT28PF01WW 半导体激光器
    日本
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 输出功率: 0.1 to 0.38 W 工作电压: 2.4 to 3 V

    Panasonic公司的LNCT28PF01WW是波长为656 nm(红光)至791 nm(红外)的激光二极管,输出功率为0.1至0.38 W,工作电压为2.4至3 V,工作电流为0.12 8至0.275 A,阈值电流为45-80 mA.有关LNCT28PF01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • LNCT28PS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 0.1 to 0.2 W 工作电压: 2.4 to 3 V 工作电流: 0.128 to 0.275 A

    Panasonic公司的LNCT28PS01WW是波长为656 nm(红光)至791 nm(红外)的激光二极管,输出功率为0.1至0.2 W,工作电压为2.4至3 V,工作电流为0.12 8至0.275 A,阈值电流为45-80 mA.有关LNCT28PS01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • ARR01C060 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 5.1 V 工作电流: 25 A

    Northrop Grumman公司的ARR01C060是一个波长为808 nm的激光二极管,输出功率为20 W,工作电压为5.1 V,工作电流为25 A,阈值电流为8000 mA.有关ARR01C060的更多详细信息,请联系我们。

  • ARR01C120-H 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 5.1 V 工作电流: 47 A

    Northrop Grumman公司的ARR01C120-H是一种波长为808 nm、输出功率为40 W、工作电压为5.1 V、工作电流为47 A、阈值电流为12000 mA的激光二极管。ARR01C120-H的更多详情见下文。

  • ARR01P1200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 21.6 V 工作电流: 95 A

    Northrop Grumman公司的ARR01P1200是一个波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为21.6 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR01P1200的更多详细信息,请联系我们。