• V850-10GSA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 2.6 to 3 mW 工作电压: 1.9 to 2.9 V 工作电流: 6 mA

    Inneos的V850-10GSA-1TGA是一款10 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.光输出功率为2.6-3 MW,斜率效率为0.7 MW/mA.该单通道顶部发射激光二极管具有0.6nm的光谱宽度和7.5GHz的最小小信号带宽,光束发散半角为21度。它需要1.8–2.1 V的直流电源,功耗为6 mA.该激光二极管具有小于6V的反向电压,并且需要1.6mA的阈值电流。它采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合发射器光学子组件、以太网收发器和光纤通道收发器应用。

  • V940-12GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1 to 2.5 mW 工作电压: 2.2 to 2.8 V

    Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW,斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm,光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA,反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源,消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和航空航天应用。

  • V980-10GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 2 to 2.7 mW

    Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为7.5GHz,斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安,光束发散半角为13度,微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源,并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。

  • V980-10GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。

  • V980-6GUA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 2.7 mW

    Inneos的V980-6GUA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为2.7 MW,斜率效率为0.4-0.6 MW/mA.这种单通道顶部发射VCSEL在小于4.5GHz的带宽下具有6Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为13度。V980-6GUA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为1 mA,反向电压高达8 V.它需要1.9-3.0 V的直流电源,消耗5 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.20 X 0.25 mm,非常适合恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • V980-6GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW,斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为4.5GHz,光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源,功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V,需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • PLD-40 半导体激光器
    美国
    厂商:IPG Photonics
    输出功率: 30 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 12 A 阈值电流: 0.7 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    IPG Photonics的PLD-40是一款多模光纤耦合激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.该激光器输出功率为30W,斜率效率为2.4W/A,光谱宽度(FWHM)为5nm,转换效率为47%。它的正向电压为4.8 V,阈值电流高达0.7 A.该激光二极管非常适合光纤放大器、激光泵浦、材料加工和直接二极管应用。

  • PLD-975-40-WS 半导体激光器
    美国
    厂商:IPG Photonics
    波长: 975 nm 输出功率: 28 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 12 A 阈值电流: 0.7 A

    IPG Photonics的PLD-975-40-WS是一款多模光纤耦合激光二极管,工作波长为975 nm.该激光器输出功率为28dBm,斜率效率为2.3W/A,光谱宽度为5nm(FWHM),阈值电流为0.7A,电源电压为4.8V,功耗为12A.这种激光二极管是放大器泵浦,激光泵浦,图形艺术/印刷,照明,直接二极管激光器,材料加工,光伏,医疗和牙科应用的理想选择。

  • APF系列 半导体激光器
    应用行业: Defense, Space 技术: QCW 输出功率: Up to 600 W 工作电压: 10 to 12 V 工作电流: 100 A

    Quantel Laser的APF系列是光纤耦合QCW激光二极管堆栈,工作波长为808、915、940和980 nm.它们提供高达600W的光输出功率,并且具有超过45%的效率。这些激光二极管具有5nm的光谱宽度和高达250μs的脉冲宽度。它们需要10-12 V的直流电源,电流消耗小于100 A.这些激光二极管具有现场可更换的光纤电缆,并提供高耦合效率。它们采用尺寸为38.5 X 80 X 56 mm的模块,是光泵浦、医疗、工业、国防和空间应用的理想选择。

  • M976±0.5-200-F200/22-DK-P 半导体激光器
    德国
    厂商:PhotonTec Berlin
    工作模式: CW Laser 波长: 976 nm 输出功率: 0 to 200 W 工作电压: 27.6 to 28 V 工作电流: 15 to 16 A

    Photontec Berlin的M976±0.5-200-F200/22-DK-P是一款窄线宽激光二极管,工作波长为976 nm.它提供200W的CW输出功率,并且具有0.5nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要27.6 V的工作电压和15 A的电流。其光纤连接器的纤芯直径为200µm,数值孔径为0.22。该激光器是光纤激光器泵浦应用的理想选择。

  • EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 779 to 781 nm 输出功率: 20 to 80 mW 工作电流: 180 mA 阈值电流: 70 mA

    Toptica的EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为780 nm.它的输出功率为20-80 MW,线宽(FWHM)为0.6 MHz.该激光器具有25pm的最小无跳模调谐和0.8W/A的斜率效率,具有8°的平行发散角(FWHM)和21°的垂直发散角(FWHM)。该激光二极管包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。它的正向电流为180 mA,需要70 mA的阈值电流。这款激光二极管采用8引脚封装,尺寸为Ø9.14 X 19.27 mm,非常适合光谱学(Rb D2线)、计量和THz产生应用。

  • EYP-DFB-0785-00100-1500-TOV01-0000 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 785 nm 输出功率: 100 mW 工作电流: 0.17 A 阈值电流: 70 mA

    Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0785-00100-1500-TOV01-0000是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为785nm.它的输出功率为100 MW,监测探测器的响应度为1-100μA/MW,线宽(FWHM)为2 MHz.该激光二极管具有170mA的正向电流和70mA的阈值电流。该激光二极管采用密封封装,配有监控二极管,是拉曼光谱、计量和干涉测量应用的理想选择。

  • EYP-DFB-0795-00080-1500-BFW01-0005 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 794 to 796 nm 输出功率: 0.02 to 0.08 W 阈值电流: 70 mA

    Eagleyard的EYP-DFB-0795-00080-1500-BFW01-0005是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为795nm.它的输出功率高达90 MW.该激光器集成了监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。该器件采用14引脚蝶形封装,非常适合光谱和计量应用。

  • EYP-RWE-0760-02010-1500-SOT12-0000 半导体激光器
    德国
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 760 nm 输出功率: 0.08 W 横模: TEM00

    Toptica Eagleyard的EYP-RWE-0760-02010-1500-SOT12-0000是一种AR涂层的法布里-珀罗激光二极管,工作波长为760nm.它的输出功率为80mW,监测探测器的响应度为1-40μA/MW.该TM偏振激光二极管消耗180mA的电流。它具有长度为1500μm的腔和高度为3.5-3.7mm的发射平面。该激光二极管采用密封SOT外壳,非常适合用于外腔二极管激光器(ECDL)、监测和光谱应用。

  • EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1060 nm 输出功率: 0.07 W 工作电流: 0.18 to 0.2 A 激光增益介质: GaAs

    来自Eagleyard的EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000是可在960至1080nm范围内调谐的GaAs半导体激光二极管。该可调谐1060nm法布里-珀罗激光二极管提供高达100mW的输出功率。它采用TO-CAN封装,非常适合光谱应用。

  • EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006 半导体激光器
    德国
    技术: Fabry-Perot (FP) 波长: 1060 nm 输出功率: 0 to 650 mW 工作电流: 940 mA 阈值电流: 65 mA

    EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006是一款1060 nm单模Fabry-Perot激光二极管,输出功率超过650 MW.它在单个横向谐振器模式下工作,导致衍射受限的输出。然而,可能出现多个轴向(纵向)模式,这可能导致不同的光学频率。频率由激光器芯片的反射面给出的谐振器的自由光谱范围分开。该激光器采用带窗口的小型扁平封装,是传感应用的理想选择。

  • 6507-0003 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    工作模式: CW Laser 波长: 795 nm 输出功率: 180 W 工作电压: 14.3 to 15 V 工作电流: 40 to 50 A

    来自QPC Lasers的6507-0003是795nm光纤耦合激光器模块,可提供超过180 W的输出功率。该激光器是自旋交换光泵浦(SEOP)的理想光源。其光谱宽度小于0.25nm,纤芯直径为1000μm.

  • BrightLock®单模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: up to 500 mW 工作电压: 1.9 to 3.9 V

    QPC Lasers的BrightLock®单模激光器在1550 nm下工作时,可提供高达500 MW CW的输出功率。这些激光器具有500kHz的窄线宽和稳定的光谱。它们采用蝶形封装,非常适合于光纤播种、激光通信、激光雷达和测距应用。

  • 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • TO56迷你型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 8 to 15 W 工作电压: 7.3 to 8.6 V

    Seminex Corporation的TO56 Mini是一款激光二极管,工作波长为1250 nm和1550 nm.它提供了15W的脉冲输出功率,并且具有28.8nm的光谱宽度(FWHM)。这款激光二极管采用紧凑型56英寸封装,带有1.9 mm底座和可选的2.8 mm电容。它是OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事和照明应用的理想选择。