• 激光二极管flo-450 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 400mW

    FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出,适用于各种光电系统。

  • 激光二极管flo-550 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 500mW

    FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。

  • 激光二极管flo-950 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.725um 输出功率: 300mW

    FLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器,采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。

  • 激光二极管flx-808-10000-1150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 10000mW

    FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器,采用C-Mount、TO3和HHL外壳,集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA(9mm)和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1053A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1053A是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1053nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1053A是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1064D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1260D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1650 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管,采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1030X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.03um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 0.1W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10M-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1055D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.055um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管,MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 FNLD-10S-1064-miniDIL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装,集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器:FC/PC,ST,SC,SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1270D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.270um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-30S-1035C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.035um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。