• 激光二极管FIDL-50M-660D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-685D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-698B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.698um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-698B是用MOCVD方法制备的698nm GaInAlP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50M-698B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-905X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1040X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.040um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1040X是InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-1040X是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1060D是1060nm InGaAs/GaAs单量子用MOCVD方法制备了半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-1060D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用5.6mm和9mm TO CAN和TO-3窗口封装,集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装,集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-850D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-850D是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-850D是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-880D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.880um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-880D是用MOCVD半导体激光器制作的880nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-880D是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-895X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.895um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-940X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.940um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-950X是一种CW单模注入半导体激光二极管与内置监测光电二极管,以稳定输出功率。这个激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-960X是用MOCVD半导体激光器制作的960nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-960X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-980X是用MOCVD半导体激光器制备的980nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-730X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.730um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mmCAN封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-740X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.740um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。