FIDL-30S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的840nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-840X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nm±10nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-870X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-894X是894nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-894A光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-947X是采用MOCVD半导体激光器制作的947nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-947X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-950X是采用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-980X光源是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-665D是665nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-500M-665光源为连续多模注入半导体激光二极管。它采用9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-500M-795X是795nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-795X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-808X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-808X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出。电源。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-820X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-840X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片，安装在SOT-148 9mmTO-CAN中，集成监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装，带有TEC、热敏电阻和监控二极管。

FIDL-500M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-500M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-880X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-880X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。