Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为4.6至6.5 A，阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为6 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为7至9 A，阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为20 W，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为25至30 A，阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息，请联系我们。

SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为40 W，工作电压为1.9至2.8 V，工作电流为50至55 A，阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息，请联系我们。

SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为60 W，工作电压为2.5 V，工作电流为75至85 A，阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息，请联系我们。

诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列，工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W（每巴150 W），斜率效率为15 W/A，电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装，以提高可靠性，并通过非去离子标准过滤水进行冷却，使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源，消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装，非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用，如脱毛和塑料焊接。

II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管，工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W，功率转换效率超过60%，斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm，在FWHM处的光束发散角为5.5度（平行）和26度（垂直）。它的填充因子为18%，波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极，发射极间距为500μm，发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范，具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下，专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤（COD）。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率，特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上，采用传导冷却的铜块封装，在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装，非常适合材料加工（焊接、切割等）、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL（激光器）阵列，工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流，这降低了电感对上升时间的影响，最大限度地减少了电磁干扰（EMI），并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机（移动、物联网）应用的理想选择。

Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管，工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW，转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V，正向电流为300 mA，阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装，尺寸为3 X 2 X 0.77 mm，非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管，可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电，功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度，垂直发散角为12~22度，微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装，非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

来自Laser Components的WSLD-1064-100M-2-PD是波长为1064 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为1.6至1.8 V，工作电流为0.19至0.21 A，阈值电流为30至50 mA.有关WSLD-1064-100M-2-PD的更多详细信息，请联系我们。

来自Laser Components的WSLD-1064-150M-2-PD是波长为1064 nm的激光二极管，输出功率为0.15 W，工作电压为1.7至3 V，工作电流为0.25至0.27 A，阈值电流为30至50 mA.有关WSLD-1064-150M-2-PD的更多详细信息，请联系我们。

来自Laser Components的WSLD-1064-50M-1-PD是波长为1064 nm的激光二极管，输出功率为0.05至0.06 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为0.125至0.14 A，阈值电流为18至25 mA.有关WSLD-1064-50M-1-PD的更多详细信息，请联系我们。

QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗（Fabry-Perot）量子阱激光二极管，工作波长为830 nm，斜率效率为1.1 W/A，峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°，垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压，并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中，并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管，在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器（DBR）激光器包括集成光隔离器、热电冷却器（TEC）、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装，配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器，该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。

来自Thorlabs的DBR795PN是一款单频激光二极管，可在795nm波长下提供40mW的输出功率。该分布式布拉格反射器（DBR）包括集成的光隔离器、热电冷却器（TEC）、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装，配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器，该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合于低噪声泵浦应用，例如87Rb D1跃迁；二次谐波产生；和时间分辨荧光光谱。

来自Thorlabs的DBR895PN是一种单频激光二极管，非常适合用作铯原子钟、二次谐波产生和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。工作波长为895nm，输出功率超过10mW.该激光器包括集成光隔离器、热电冷却器（TEC）、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装，配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器，连接器键与光纤的慢轴对齐。

Thorlabs的FPL785P是一款法布里-珀罗激光二极管，工作波长为775至795nm.它提供200 MW的CW输出功率，光谱带宽（RMS）为0.5 nm.该单模光纤的正向电压为2.1V，工作电流CW为500mA，阈值电流高达80mA.它的偏振消光比为16dB，斜率效率为0.53W/A.该激光器基于量子阱外延层生长，具有高度可靠的脊形波导结构。它采用蝶形封装，集成监控光电二极管、TEC和热敏电阻，可对激光二极管进行温度控制。

Thorlabs的FPV785M是一款体积全息光栅（VHG）稳定激光二极管，工作波长为785 mm.该多模激光二极管提供波长稳定的光谱，输出功率为600mW.激光器的输出耦合到FC/PC端接的多模光纤。其斜率效率为0.95W/A，阈值电流高达350mA.该激光二极管需要1.9 V的直流电源，消耗1100 mA的电流。它由集成式热电制冷器（TEC）和热敏电阻组成。该激光二极管采用14引脚密封蝶形封装，是拉曼光谱应用的理想选择。

Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管，工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW，斜率效率为0.46W/A，垂直发散角（FWHM）为13.5°，横向发散角（FWHM）为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V，阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术，具有脊形波导结构。激光二极管采用Ø9 mm TO-CAN封装。