• SLD336VF 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为0.75 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为4.6至6.5 A,阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD344YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为6 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为7至9 A,阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为20 W,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为25至30 A,阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD432S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.9 to 2.8 V

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为40 W,工作电压为1.9至2.8 V,工作电流为50至55 A,阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD433S4 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 60 W 工作电压: 2.5 V

    SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为60 W,工作电压为2.5 V,工作电流为75至85 A,阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息,请联系我们。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • WSLD-1064-100m-2-PD 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1064 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 1.6 to 1.8 V

    来自Laser Components的WSLD-1064-100M-2-PD是波长为1064 nm的激光二极管,输出功率为0.1 W,工作电压为1.6至1.8 V,工作电流为0.19至0.21 A,阈值电流为30至50 mA.有关WSLD-1064-100M-2-PD的更多详细信息,请联系我们。

  • WSLD-1064-150m-2-PD 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1064 nm 输出功率: 0.15 W 工作电压: 1.7 to 3 V

    来自Laser Components的WSLD-1064-150M-2-PD是波长为1064 nm的激光二极管,输出功率为0.15 W,工作电压为1.7至3 V,工作电流为0.25至0.27 A,阈值电流为30至50 mA.有关WSLD-1064-150M-2-PD的更多详细信息,请联系我们。

  • WSLD-1064-50m-1-PD 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1064 nm 输出功率: 0.05 to 0.06 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Laser Components的WSLD-1064-50M-1-PD是波长为1064 nm的激光二极管,输出功率为0.05至0.06 W,工作电压为2至2.5 V,工作电流为0.125至0.14 A,阈值电流为18至25 mA.有关WSLD-1064-50M-1-PD的更多详细信息,请联系我们。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • DBR780PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 波长: 779 to 783 nm 输出功率: 40 to 45 mW 工作电流: 0.25 A 阈值电流: 60 mA

    来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管,在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。

  • DBR795PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 波长: 793 to 797 nm 输出功率: 35 to 40 mW 工作电流: 230 mA 阈值电流: 55 mA

    来自Thorlabs的DBR795PN是一款单频激光二极管,可在795nm波长下提供40mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)包括集成的光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合于低噪声泵浦应用,例如87Rb D1跃迁;二次谐波产生;和时间分辨荧光光谱。

  • DBR895PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 893 to 895 nm 输出功率: 10 to 12 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Thorlabs的DBR895PN是一种单频激光二极管,非常适合用作铯原子钟、二次谐波产生和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。工作波长为895nm,输出功率超过10mW.该激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,连接器键与光纤的慢轴对齐。

  • FPL785P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 180 to 220 mW 工作电流: 500 to 550 mA 阈值电流: 80 to 150 mA

    Thorlabs的FPL785P是一款法布里-珀罗激光二极管,工作波长为775至795nm.它提供200 MW的CW输出功率,光谱带宽(RMS)为0.5 nm.该单模光纤的正向电压为2.1V,工作电流CW为500mA,阈值电流高达80mA.它的偏振消光比为16dB,斜率效率为0.53W/A.该激光器基于量子阱外延层生长,具有高度可靠的脊形波导结构。它采用蝶形封装,集成监控光电二极管、TEC和热敏电阻,可对激光二极管进行温度控制。

  • FPV785M 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Volume-Holographic-Grating (VHG) 工作模式: CW Laser 波长: 785 nm 输出功率: 550 to 600 mW 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Thorlabs的FPV785M是一款体积全息光栅(VHG)稳定激光二极管,工作波长为785 mm.该多模激光二极管提供波长稳定的光谱,输出功率为600mW.激光器的输出耦合到FC/PC端接的多模光纤。其斜率效率为0.95W/A,阈值电流高达350mA.该激光二极管需要1.9 V的直流电源,消耗1100 mA的电流。它由集成式热电制冷器(TEC)和热敏电阻组成。该激光二极管采用14引脚密封蝶形封装,是拉曼光谱应用的理想选择。