FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管，MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装，集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器：FC/PC，ST，SC，SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1014D是用MOCVD半导体激光器制作的1014nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1014D是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

掺杂三价镱（Yb3+）的晶体在紧凑、高效的二极管泵浦激光系统中显示出巨大的应用潜力。[1-4]Yb3+离子只有两个流形，基态2F7/2和激发态2F5/2，它们相隔约10，000cm-1。因此，Yb3+掺杂材料具有有利于高能量1µm激光系统的光谱和激光特性。特别地，Yb3+掺杂材料不应遭受浓度猝灭、上转换或激发态吸收。Yb3+离子还具有很长的能量存储寿命（通常是相同基质中Nd3+的三到四倍）和非常小的量子亏损，这减少了激光过程中的热量产生。在基质材料YAG的特定情况下，Yb3+的存储寿命为950µs，量子亏损仅为8.6%。Yb3+：YAG还具有940nm的宽泵浦线，其比Nd3+：YAG中的808nm泵浦线宽10倍，使得系统对泵浦二极管波长的热漂移不太敏感。这些材料特性与940nm长寿命InGaAs泵浦二极管的发展相结合，使该材料成为二极管泵浦高能激光器的优秀候选材料。据报道，基于SM的升级Yb3+：YAG激光器系统的CW输出功率超过430 W，[1]准CW输出功率为600 W，[4]光光效率为60%。[2]据报道，此类系统可在千瓦级的输出功率下进行缩放。掺杂Yb3+的YAG晶体可以从1%-100%的各种掺杂剂浓度获得（例如镱铝石榴石-YbAg）。

LineCAM12是一款先进的行扫描相机，在USB3或Camera Link输出上以37Klines/s的速度提供14位数字数据。相机目前有两种类型：用于光谱学的250um高像素和用于机器视觉应用的12.5um方形像素。相机具有令人难以置信的多功能性，可实现从75Ke-到100Me-的全阱，具有128个变化步骤以及从10μs到150s的积分时间。片内光学像素分箱（其中每隔一个探测器相邻像素）可通过命令以光谱分辨率换取更高的信号电平。还可通过简单的命令结构激活，在同一相机平台中以512分辨率实现48klines/s的像素跳跃或面元划分。TEC稳定相机具有31个非均匀性校正（NUC）表，其中15个为工厂设置，16个为用户定义的表，以实现给定环境的灵活性。这种晶格匹配的InGaAs阵列是背照式的，能够在0.4到1.7um的范围内进行检测，没有焊盘或导线妨碍信号，并较大限度地减少正面照明阵列中的杂散反射，该阵列在有源成像区域附近有许多导线键合。该阵列可以定制，以允许在有源探测器区域放置滤光器，这在正面照明设备中几乎是不可能的。我们展示了该设备与Metaphase的光源一起工作。

通过将较先进的光电二极管与久经考验的出色Femto LCA电流放大器技术相结合，我们设计了具有卓越性能的新型光电接收器系列。LCA-S-400K可用于大面积Si或InGaAs光电二极管，分别覆盖400至1100 nm和900至1700 nm的光谱范围。放大器的跨阻为107V/A，在1550nm处的较大转换增益为9.5×106V/W。由于跨阻放大器的低噪声性能，较小噪声等效功率（NEP）低至75 FW/√Hz，因此无需进一步求平均值即可检测纳瓦范围内的光信号。