• Seminex高功率多模激光二极管1550nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 1200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 1600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.6W N149 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 1600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.7W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 1700mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex高功率多模激光二极管B-Mount 1550nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 5000mW

    Seminex在红外波长提供较高的可用CW功率,并可以优化其激光芯片的设计,以满足客户的光学和电气性能规格。安装和测试二极管以满足定制应用,典型结果和封装选项如下所示。联系法兰克福激光公司了解更多详情,或进一步详细讨论您的应用。

  • Seminex高功率单模激光二极管1550nm 0.22W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 220mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 0.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex多模式激光芯片1550nm 2.5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 2500mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W N179 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex TO-56封装激光器 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1.55um 输出功率: 1400mW

    采用定制TO-56封装的Seminex多模激光二极管。高达35瓦的脉冲功率1550nm波长封装采用2.5mm长的Seminex芯片

  • 单频激光器模块976nm 14xxnm和1550nm 半导体激光器
    加拿大
    厂商:WTT
    激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 1550nm 输出功率: 200mW

    工作波长为976nm、14xxnm和1550nm的单频激光模块。

  • 单模三窗耦合器 光纤耦合器
    中国大陆
    分类:光纤耦合器

    采用非对称耦合技术,将三窗口耦合器的工作带宽扩展到1310nm、1490nm和1550nm三个通信窗口。TWC耦合器在1310nm、1490nm和1550nm通信窗口上具有相同的耦合比,具有低的额外损耗和低的PDL。TWC广泛地用于通信系统、有线电视服务、FTTH,其中多个光信号通过单个光纤。这些产品通过了Telcordia GR-1221/1209核认证,并符合RoHS规范。

  • SM双级隔离器1310nm-1550nm 偏振光学元件
    中国台湾
    厂商:Wanshing
    波长: 1550nm 带宽: 15nm 功率: 0.3W 隔离范围: 0 - 46 dB

    这些SM内嵌偏振不敏感双级隔离器器件采用先进的制造工艺,可实现良好的性能、高功率处理能力和出色的环境稳定性。对于任何偏振态,这些器件都能较大限度地减少反向反射和反向散射。它广泛应用于掺铒光纤放大器、拉曼放大器、密集波分复用系统、光纤激光器、发射机等光纤通信设备中。它提供低插入损耗、高隔离度、低PDL和低温度灵敏度。

  • SM单级隔离器1310nm-1550nm 偏振光学元件
    中国台湾
    厂商:Wanshing
    波长: 1550nm 带宽: 15nm 功率: 0.3W 隔离范围: 0 - 32 dB

    这些SM内嵌偏振不敏感单级隔离器器件采用先进的制造工艺,可实现良好的性能、高功率处理能力和出色的环境稳定性。对于任何偏振态,这些器件都能使反向反射和反向散射较小化。它广泛应用于掺铒光纤放大器、拉曼放大器、密集波分复用系统、光纤激光器、发射机等光纤通信设备中。它提供低插入损耗、高隔离度、低PDL和低温度灵敏度。

  • SRT-F405M-50/OSYS光纤耦合二极管激光器 半导体激光器
    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode, Multi-Mode 波长: 405nm 输出功率: 50mW

    SRT-F OEM系列光纤耦合激光器采用温度控制,可提供高度稳定的激光器,具有出色的光束质量。从405nm到1550nm的离散波长范围是可用的。激光器被耦合到单模、保偏或多模光纤,从光纤末端具有高输出功率。激光器主体包含激光器、热敏电阻、TE冷却器、散热器和耦合光学器件,封装紧凑。驱动电子设备与激光头分离,使设备更加紧凑。有两种光纤耦合激光器可供选择。一个具有<2nm的光谱带宽,另一个具有<0.1nm的光谱带宽。详情请致电。输出可通过我们的FC系列可调焦距光纤准直器进行准直。它们的孔径从3毫米到45毫米。请参阅光纤准直器数据表。选项此外,还提供适用于所有列出波长的保偏光纤和多模光纤。标准连接是FC/UPC,可选FC/APC。SMA连接器也可用于多模光纤。所有激光器都配有安装板,以便于安装。一系列光纤准直器可产生直径为2毫米至45毫米的光束,并卡在光纤末端,以提供经过良好校正的高度准直光束。光纤分路器可用于所有波长。我们可以将2到4个激光波长组合成单个光纤输出,并安装在单个封装中,以便于使用。

  • SRT-F450M-15/OSYS光纤耦合二极管激光器 半导体激光器
    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode, Multi-Mode 波长: 450nm 输出功率: 15mW

    SRT-F OEM系列光纤耦合激光器采用温度控制,可提供高度稳定的激光器,具有出色的光束质量。从405nm到1550nm的离散波长范围是可用的。激光器被耦合到单模、保偏或多模光纤,从光纤末端具有高输出功率。激光器主体包含激光器、热敏电阻、TE冷却器、散热器和耦合光学器件,封装紧凑。驱动电子设备与激光头分离,使设备更加紧凑。有两种光纤耦合激光器可供选择。一个具有<2nm的光谱带宽,另一个具有<0.1nm的光谱带宽。详情请致电。输出可通过我们的FC系列可调焦距光纤准直器进行准直。它们的孔径从3毫米到45毫米。请参阅光纤准直器数据表。选项此外,还提供适用于所有列出波长的保偏光纤和多模光纤。标准连接是FC/UPC,可选FC/APC。SMA连接器也可用于多模光纤。所有激光器都配有安装板,以便于安装。一系列光纤准直器可产生直径为2毫米至45毫米的光束,并卡在光纤末端,以提供经过良好校正的高度准直光束。光纤分路器可用于所有波长。我们可以将2到4个激光波长组合成单个光纤输出,并安装在单个封装中,以便于使用。