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波长: 1064nm 输出功率: 20W
ThinkLaser为全球工业市场带来全面的“插头和工艺”激光打标和雕刻产品、系统和解决方案。LightWriter是当今市场上较紧凑但功能较多的激光打标产品之一,它由一个完全集成的打标头、1级工作场所安全外壳、带软件的PC组成,设计成一个机箱,有两种不同的形式:独立和桌面。底盘由铝挤压制成,整体采用镶板。使用双色调灰色配色方案。该装置将是自由站立的,带有千斤顶支脚,使其能够在其制造位置轻松定位和调平。底盘将包含所有必要的设备、电子设备和服务要求。高性能12或20瓦Nd:YAG光纤激光器波长:1064nm模式结构:单模可选择脉冲波形和1–500 kHz脉冲率快速上升时间2-8倍可变扩束器风冷机组单相供电脉冲或CW操作
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反光涂层: Protected Aluminum, Protected Silver, Protected Gold 基质: BK7, Fused Silica 平均反射率: 90% 波长范围: 400 - 12000 nm 表面平整度: lambda/4
尺寸公差+0.0/-0.2mm厚度公差±0.2mm通光孔径>90%平直度λ/25mm范围集中<3弧分表面质量60/40划痕和挖掘一面喷涂金属涂层,背面打磨或检查抛光增强铝:Ravg>90400-700nm受保护的铝:Ravg>87400-1200nm保护银:Ravg>95400-12000nm保护金:RAVG>982000-12000nm损伤阈值>1J/cm2,20ns,20Hz,@1064nm
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反光涂层: Protected Aluminum, Protected Silver, Protected Gold 基质: BK7, Fused Silica, UV Fused Silica 平均反射率: 90% 波长范围: 400 - 12000 nm 表面平整度: lambda/4
尺寸公差+0.0/-0.2mm厚度公差±0.2mm通光孔径>90%平整度参考下表表面质量60/40划痕和挖掘一面喷涂金属涂层,背面打磨或检查抛光增强铝:Ravg>90400-700nm受保护的铝:Ravg>87400-1200nm保护银:Ravg>95400-12000nm保护金:RAVG>982000-12000nm损伤阈值>1J/cm2,20ns,20Hz,@1064nm
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中心波长: 1064nm 重复频率: 10 - 10 kHz 脉冲能源: 0.01mJ 脉冲持续时间: 1000fs 极化: Unspecified
被动调Q微片固态激光器(微片激光器)是一种方便的短脉冲发射源(0.5至1ns),具有高脉冲能量(10μJ)和接近衍射极限的光束质量。微芯片激光器的应用可以通过使用一个或多个放大器级增加其脉冲能量和平均功率来显著扩展,但前提是放大器保持微芯片发射的固有光束质量和其他所需属性。我们已经证明,双通VHGM放大器可以将1064nm微芯片振荡器的脉冲能量和平均功率分别增加到500uJ和5W以上,同时保持微芯片激光器的光束质量和发射光谱。下图显示了2通放大器的平均1064nm输出功率与放大器驱动电流(在10kHz的脉冲率下)的关系,并且是注入到2通放大器中的1064nm种子功率的函数。放大器中的较大808nm泵浦功率为40W。考虑到将种子功率减少10倍(至约10mW)导致放大器输出功率减少不到2倍,2通放大器在100mW种子功率下很好地饱和。在2通放大器的输出端不需要法拉第隔离器,而在其他设计中经常需要法拉第隔离器来将2通放大光束与输入种子光束分离,从而导致更紧凑、更高效和更低成本的MOPA系统。在JG Manni,Optics Communications 252:117-126(2005)中提供了更多细节。微芯片激光振荡器现在是商业上可获得的,其可以在200ps脉冲持续时间中产生10nJ脉冲能量,并且在100ps脉冲中产生4nJ脉冲能量。(见www.batop.de)我们计划将这种微芯片激光器与我们的双通道VHGM放大器配对,并将在此网页上报告我们的结果。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.4W 重复频率: .001 - .005 kHz 脉宽: 6.0 ± 1.5ns 冷却: Air, Conductive
MicroJewel激光器是一系列坚固耐用的Q开关Nd:YAG DPSS激光器,采用超紧凑设计,在1064nm波长下提供8mJ的能量。MicroJewel激光器可靠、轻便、高效,是需要小尺寸的商业和OEM应用的理想选择。MicroJewel仅有3.5英寸长,重量仅为40克,并具有紧凑的内联谐振器,这将减少激光系统的空间和重量限制,并且功耗低。该激光器将是便携式和手持式应用的理想选择。它还具有集成热管理系统,专为需要高可靠性的应用而设计。此外,我们可以定制针对不同参数(发散度与能量)优化的不同光学配置。