FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FLX-1064-1500M-50是在1064nm处具有1500mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm to CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-1064-5000M-150是一款多模半导体激光器。在1064nm连续输出功率为5000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装，集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器：FC/PC，ST，SC，SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

激光线镜被设计成以45度反射激光。有四种可用的激光波长：532nm、1064nm、1320nm和2940nm。

ThinkLaser为全球工业市场带来全面的“插头和工艺”激光打标和雕刻产品、系统和解决方案。LightWriter是当今市场上较紧凑但功能较多的激光打标产品之一，它由一个完全集成的打标头、1级工作场所安全外壳、带软件的PC组成，设计成一个机箱，有两种不同的形式：独立和桌面。底盘由铝挤压制成，整体采用镶板。使用双色调灰色配色方案。该装置将是自由站立的，带有千斤顶支脚，使其能够在其制造位置轻松定位和调平。底盘将包含所有必要的设备、电子设备和服务要求。高性能12或20瓦Nd：YAG光纤激光器波长：1064nm模式结构：单模可选择脉冲波形和1–500 kHz脉冲率快速上升时间2-8倍可变扩束器风冷机组单相供电脉冲或CW操作

铌酸锂（LiNbO3）晶体广泛应用于波长>1μm的倍频器、1064nm泵浦的光参量振荡器（OPO）以及准相位匹配（QPM）器件。由于其大的电光（e-o）和声光（a-o）系数，LiNbO3还被广泛用作Nd：YAG、Nd：YLF和钛宝石激光器的电光调制器和Q开关以及光纤调制器等。

LME系列二极管泵浦、固态、调Q激光器在1064nm处的输出功率高达10W，在532nm处的输出功率高达14W，在355nm处高达5W。它们提供高处理速度和高处理质量，同时降低生产成本。

LPS-1064-L EOM 1064nm红外激光器

二极管泵浦固体激光器。在1064nm的小于2ns的脉冲中高达20mJ。

单模光纤尾纤激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。它专为高达160Mbit/s的客户特定信号传输而设计，并配有特殊的FBG和光纤，以在调制过程中实现锁定。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。

LUMICS LU1064M300激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。它专为客户的特定应用而设计，并提供特殊的FBG和光纤。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。

单模光纤尾纤激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。

MDFG1设计用于Nd：YAG激光器和可调谐钛蓝宝石（或类似）激光器的差频产生（DFG），用于2.4-3µm范围内的中红外产生。通过调节输入激光波长和改变PPLN温度，可以用每个PPLN光栅调节输出波长。

尺寸公差+0.0/-0.2mm厚度公差±0.2mm通光孔径>90%平直度λ/25mm范围集中<3弧分表面质量60/40划痕和挖掘一面喷涂金属涂层，背面打磨或检查抛光增强铝：Ravg>90400-700nm受保护的铝：Ravg>87400-1200nm保护银：Ravg>95400-12000nm保护金：RAVG>982000-12000nm损伤阈值>1J/cm2，20ns，20Hz，@1064nm

尺寸公差+0.0/-0.2mm厚度公差±0.2mm通光孔径>90%平整度参考下表表面质量60/40划痕和挖掘一面喷涂金属涂层，背面打磨或检查抛光增强铝：Ravg>90400-700nm受保护的铝：Ravg>87400-1200nm保护银：Ravg>95400-12000nm保护金：RAVG>982000-12000nm损伤阈值>1J/cm2，20ns，20Hz，@1064nm

被动调Q微片固态激光器（微片激光器）是一种方便的短脉冲发射源（0.5至1ns），具有高脉冲能量（10μJ）和接近衍射极限的光束质量。微芯片激光器的应用可以通过使用一个或多个放大器级增加其脉冲能量和平均功率来显著扩展，但前提是放大器保持微芯片发射的固有光束质量和其他所需属性。我们已经证明，双通VHGM放大器可以将1064nm微芯片振荡器的脉冲能量和平均功率分别增加到500uJ和5W以上，同时保持微芯片激光器的光束质量和发射光谱。下图显示了2通放大器的平均1064nm输出功率与放大器驱动电流（在10kHz的脉冲率下）的关系，并且是注入到2通放大器中的1064nm种子功率的函数。放大器中的较大808nm泵浦功率为40W。考虑到将种子功率减少10倍（至约10mW）导致放大器输出功率减少不到2倍，2通放大器在100mW种子功率下很好地饱和。在2通放大器的输出端不需要法拉第隔离器，而在其他设计中经常需要法拉第隔离器来将2通放大光束与输入种子光束分离，从而导致更紧凑、更高效和更低成本的MOPA系统。在JG Manni，Optics Communications 252：117-126（2005）中提供了更多细节。微芯片激光振荡器现在是商业上可获得的，其可以在200ps脉冲持续时间中产生10nJ脉冲能量，并且在100ps脉冲中产生4nJ脉冲能量。（见www.batop.de）我们计划将这种微芯片激光器与我们的双通道VHGM放大器配对，并将在此网页上报告我们的结果。

MicroJewel激光器是一系列坚固耐用的Q开关Nd：YAG DPSS激光器，采用超紧凑设计，在1064nm波长下提供8mJ的能量。MicroJewel激光器可靠、轻便、高效，是需要小尺寸的商业和OEM应用的理想选择。MicroJewel仅有3.5英寸长，重量仅为40克，并具有紧凑的内联谐振器，这将减少激光系统的空间和重量限制，并且功耗低。该激光器将是便携式和手持式应用的理想选择。它还具有集成热管理系统，专为需要高可靠性的应用而设计。此外，我们可以定制针对不同参数（发散度与能量）优化的不同光学配置。