• TO56迷你型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 8 to 15 W 工作电压: 7.3 to 8.6 V

    Seminex Corporation的TO56 Mini是一款激光二极管,工作波长为1250 nm和1550 nm.它提供了15W的脉冲输出功率,并且具有28.8nm的光谱宽度(FWHM)。这款激光二极管采用紧凑型56英寸封装,带有1.9 mm底座和可选的2.8 mm电容。它是OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事和照明应用的理想选择。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-100 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 11 W

    Seminex公司的TO56M-100是一种高功率脉冲激光二极管,工作波长为1250nm,光谱宽度为15nm.它提供11W的光输出功率。该激光二极管具有10度的平行光束发散角和30度的垂直光束发散角。TO56M-100的阈值电流为1 A,驱动电流约为29 A,正向电压为8.5 V.它采用紧凑型TO56封装,带有1.9mm底座和可选的2.8mm电容。这款激光二极管是OEM医疗、消费医疗、激光雷达、军事定位、测距和照明应用的理想选择。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • TO56m-300 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管,工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm,光谱宽度为28.8nm,输出功率为15W,斜率效率为0.2W/A,功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源,阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装,非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • 905D1SxxUA-系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: up to 75 W 工作电流: 3.5 to 22 A 阈值电流: 250 to 800 mA

    Laser Components的905D1SXXUA系列是高端/低成本脉冲激光二极管,可提供高达75 W的输出功率。这些905 nm PLD采用5.6 mm密封CD封装,可用于测距、速度监控、激光雷达、安全扫描仪和激光光幕或测试和测量系统。PLD提供高可靠性和温度稳定性,并且还实现了最佳的光束特性。

  • ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • DBR816PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 814 to 818 nm 输出功率: 35 to 45 mW 工作电压: 1.95 to 2.5 V

    Thorlabs的DBR816PN是一款分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管,工作波长为816 nm.它集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和光电二极管。二极管提供高达45 MW的CW输出功率。它的正向电压为1.95 V,阈值电流高达54 mA.激光二极管采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器。它是水汽差分吸收激光雷达(DIAL)系统的理想选择,并可用作近红外光谱(NIRS)的低噪声泵浦源。

  • 1790型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Defense and Security, Automation 波长: 1550 nm 输出功率: 0.05 to 0.06 W(17 to 18 dBm) 工作电压: 2.5 V 工作电流: 500 mA

    来自Emcore公司的1790型是在1550nm的波长下工作的激光二极管。它为自动驾驶和各种其他光学传感应用的频率调制连续波长(FMCW)传感提供了一种紧凑、稳健的解决方案。该激光器的光输出功率为18 dBm,光隔离度为50 dB.它需要500mA的工作电流,并且具有20mA的阈值电流。激光器与内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管直流耦合。该器件采用14引脚、OC-48引脚布局兼容的密封蝶形封装,并在TEC上安装了双光学隔离器,使其具有很高的抗干扰或光学跳频能力。激光二极管是激光雷达、光学传感、FMCW和自主车辆应用的理想选择。

  • 1064纳米RIO PLANEX 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0.01 W 工作电流: 0.14 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Rio公司的Rio Planex是一种外腔激光器,工作波长为1064nm.该单频激光器可提供高达10 MW的输出功率,并具有低于50 dB的出色单模抑制比(SMSR)。该激光器具有极低的RIN(-135 dB/Hz)、低相位噪声和窄线宽(15 kHz)。Rio Planex采用14引脚蝶形封装,提供SMF和PM尾纤选择。它适用于光纤和固态激光器、二次谐波产生(SHG)、光学参量振荡器(OPO)、激光光谱学、激光雷达和其他精密计量应用。

  • PLANEX 1550纳米激光二极管 半导体激光器
    应用行业: Communications, Defense and Security, Oil & Gas 技术: External Cavity Lasers 工作模式: CW / Pulsed 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 30 mW

    来自Redfern Integrated Optics的Planex 1550 nm激光二极管是一种窄线宽外腔激光二极管,工作波长为1530至1565 nm.它提供30 MW的输出功率,并提供超过40 dB的光隔离。激光二极管具有小于1kHz的窄线宽,并且对振动和声学噪声不敏感。它由增益芯片和包含布拉格光栅的平面光波电路(PLC)组成。激光二极管是声学和地震传感、国防和安全、石油和天然气勘探和生产、激光雷达和遥感、干涉光纤传感、计量、射频和微波光子学以及相干通信应用的理想选择。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • M9-940-0200-XXX 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管,工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW,斜率效率为0.9W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装,是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。