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GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1500W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱学。
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达1000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
介绍FemtoBlanc FWM-2再生放大器FemtoBlanc FWM-2是专为医疗和工业市场设计的OEM解决方案。FemtoBlanc FWM-2的占地面积不到1.7平方英尺,是当今较小的高功率激光器之一。对于更紧凑的应用,FemtoBlanc FWM-2可以垂直安装,以将占地面积减少到1平方英尺以下,而性能不会下降。