• M9xx±10-210-F200/22-DK 半导体激光器
    德国
    厂商:PhotonTec Berlin
    工作模式: CW Laser 波长: 1030 to 1100 nm 输出功率: 210 W 工作电压: 30 V 工作电流: 15 A

    Photontec Berlin的M9xx±10-210-F200/22-DK是一款中心波长为915或976 nm的光纤耦合二极管激光器。该激光器的连续输出功率为210W,功率转换效率为47%,斜率效率为15W/A,纤芯直径为200μm,数值孔径为0.22。它在1030-1100nm波长范围内具有反馈保护功能,用于光纤激光器泵浦,并提供超过40dB的衰减。M9xx±10-210-F200/22-DK需要30 V直流电源,消耗15 A电流,阈值电流为1 A.该器件采用尺寸为120.5 X 53 X 16.6 mm的封装,非常适合激光泵浦、材料加工和医疗应用。

  • EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 779 to 781 nm 输出功率: 20 to 80 mW 工作电流: 180 mA 阈值电流: 70 mA

    Toptica的EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为780 nm.它的输出功率为20-80 MW,线宽(FWHM)为0.6 MHz.该激光器具有25pm的最小无跳模调谐和0.8W/A的斜率效率,具有8°的平行发散角(FWHM)和21°的垂直发散角(FWHM)。该激光二极管包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。它的正向电流为180 mA,需要70 mA的阈值电流。这款激光二极管采用8引脚封装,尺寸为Ø9.14 X 19.27 mm,非常适合光谱学(Rb D2线)、计量和THz产生应用。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • TO56m-300 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管,工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm,光谱宽度为28.8nm,输出功率为15W,斜率效率为0.2W/A,功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源,阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装,非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 to 645 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2.5 to 2.9 V 工作电流: 150 to 185 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD1254JFR-V是一款激光二极管,波长为635至645 nm,输出功率为90 MW,工作电压为2.5至2.9 V,工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD291VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 350 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 400 to 470 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD291VS是一款激光二极管,波长为840至860 nm,输出功率为350 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD301V 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 1.9 to 3 V 工作电流: 0.25 to 0.4 A

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器
    技术: Double-Hetro Type 工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 to 3 V

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为770至840 nm,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9至3 V,工作电流为0.35至0.5 A,阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD322V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为0.75至1.2 A,阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD323V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为1.4至2 A,阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.4 to 2.8 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管,波长为790~840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.4~2.8 V,工作电流为4~8 A,阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD332F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 3.0 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至3.0 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至3 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管,波长为795至840 nm,输出功率为2 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为2.2至3.6 A,阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为5 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为5.2至6.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为4.3至5.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为0.75 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息,请联系我们。