• RLD2BPNK5 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK5是一种波长为787nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.023A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFL3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 685 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.2 V 工作电流: 0.017 to 0.018 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFL3是波长为685至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.2V,工作电流为0.017至0.018A,阈值电流为12至13mA.有关RLD2WMFL3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFR1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 790 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.9 to 2.3 V 工作电流: 0.045 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFR1是波长为658至790 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为0.045 A、阈值电流为30至35 mA的激光二极管。有关RLD2WMFR1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFV2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.027 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMFV2是波长为658至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.3V,工作电流为0.027A,阈值电流为18至20mA.有关RLD2WMFv2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-00x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-00X是波长为658至668 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.8 V,工作电流为0.018至0.035 A,阈值电流为18至35 mA.有关RLD2WMNL2-00x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-01x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-01X是波长为658至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.018至0.035A,阈值电流为18至35mA.有关RLD2WMNL2-01x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 663 to 785 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.024 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2是波长为663至785nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8至2.3V、工作电流为0.02至0.024A、阈值电流为15至18mA的激光二极管。有关RLD2WMNL2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 0.025 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP2是一种波长为792nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为1.7V,工作电流为0.025A,阈值电流为14mA.有关RLD4BPMP2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NPC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD63NPC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NPC5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NZC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD63NZC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NZC5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63PZCA 半导体激光器
    日本
    波长: 638 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 33 mA 阈值电流: 28 mA

    来自Rohm Semiconductor的RLD63PZCA是红色单模激光二极管,其工作波长为638 nm,输出效率为0.8 W/A.它提供7 MW的峰值光输出功率,并具有8度的平行光束发散角和32度的垂直光束发散角。该激光二极管消耗2.2V的电压和33mA的电流。它可与行业标准&PHI5.6金属杆。这款激光二极管是传感器、条形码扫描仪、水准测量和测距应用的理想选择。

  • RLD65MFX1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2.3 V 工作电流: 0.021 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD65MFX1是一种波长为660 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2.3 V、工作电流为0.021 A、阈值电流为15 mA的激光二极管。有关RLD65MFX1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65MQX1 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 652 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.015 to 0.04 A

    Rohm Semiconductor的RLD65MQX1是波长为652至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.01W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.015至0.04A,阈值电流为15至40mA.有关RLD65MQX1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65MZT7 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 652 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.015 to 0.04 A

    Rohm Semiconductor的RLD65MZT7是波长为652至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.015至0.04A,阈值电流为15至40mA.有关RLD65MZT7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65NZX2 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65NZX2是波长为650至660 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65NZX2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65PZX2 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65PZX2是波长为650至660 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65PZX3 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 664 nm 输出功率: 0 to 0.012 W 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65PZX3是波长为650至664 nm的激光二极管,输出功率为0至0.012 W,工作电压为2.3至2.7 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MFA7 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MFA7是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MFA7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MRA6 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MRA6是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MRA6的更多详细信息,请联系我们。