FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-980X是980nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-980X光源是CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管，提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-100M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-660D是连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-670D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的670nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-670D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它的供应规格为9毫米带内置监控二极管的外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-830X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-830X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-830X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-840X是连续单模注入。半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。

FIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。

FIDL-100S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-860X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-950X是950nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。