NEOVAN系列是一种OEM型固态激光放大器系统，用于提高几种应用的脉冲能量或平均输出功率。灵活的系统设计允许根据高可靠性和长寿命增益模块选择不同的功率和能量水平。超紧凑和接近单片的模块允许激光应用机器、科学激光器或低功率振荡器的轻松集成和成本效益升级。无论是用于微加工应用的高峰值功率短脉冲皮秒激光，还是用于引力波探测的单频辐射，NEOVAN放大器模块都将促进您的应用。虽然光纤耦合的高增益模块允许直接放大锁模振荡器、增益切换或窄线宽二极管，但标准自由空间模块将微芯片激光器缩放到高平均功率或高能量水平。

用于功率测量的PC接口。单通道，USB输出。

用于功率测量的PC接口。单通道，RS-232输出。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO光电探测器，用于测量皮焦耳/脉冲的极低能量范围内的激光输出能量。

Gentec-EO PH硅光电探测器，用于VIS至NIR光谱范围内的激光输出功率测量和低于0.1W的功率范围。

Gentec-EO pH光电探测器，用于测量可见光至低近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率。

Gentec-EO PH锗光电探测器，用于测量近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率/能量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-Si光电探测器

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头，带触摸屏控制。

Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头，带触摸屏控制。