• T12 - 水 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 to 1.9 V 工作电流: 90 to 125 A

    美国Leonardo Electronics公司的T12-Water是一种激光二极管,波长为830~1100nm,输出功率为0.5~8W,工作电压为1.85~1.9V,工作电流为90~125A,阈值电流为15000~22000mA.T12-水的更多细节可以在下面看到。

  • T12 半导体激光器
    T12
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2 V 工作电流: 90 to 125 A

    美国Leonardo Electronics的T12是一种激光二极管,其波长为760至830 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.9至2 V,工作电流为90至125 A,阈值电流为15000至22000 mA.T12的更多细节可以在下面看到。

  • T3 - 水 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 30 to 40 W 工作电压: 1.85 to 1.9 V

    美国Leonardo Electronics公司生产的T3-Water是一种激光二极管,波长为830~1100nm,输出功率为30~40W,工作电压为1.85~1.9V,工作电流为90~125A,阈值电流为15000~22000mA.T3-水的更多细节可以在下面看到。

  • T3 半导体激光器
    T3
    美国
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 30 to 40 W 工作电压: 1.9 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的T3是一种激光二极管,其波长为760至830 nm,输出功率为30至40 W,工作电压为1.9至2 V,工作电流为90至125 A,阈值电流为15000至22000 mA.T3的更多细节可以在下面看到。

  • T6 - 水 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 200 to 1000 W 工作电压: 1.85 to 1.9 V 工作电流: 90 to 125 A

    美国Leonardo Electronics公司的T6-Water是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为200至1000 W,工作电压为1.85至1.9 V,工作电流为90至125 A,阈值电流为15000至22000 mA.T6-水的更多细节可以在下面看到。

  • T6 - 流体 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser, Pulsed laser 波长: 760 to 1700 nm 工作电压: 1.7 to 2 V 工作电流: 90 to 550 A 电源转换效率: 25%, 56%, 58%

    美国Leonardo Electronics的T6-Fluid是一种激光二极管,波长为760至1700 nm,工作电压为1.7至2 V,工作电流为90至550 A.T6-Fluid的更多详情见下文。

  • 未装配的条状物 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 20 to 80 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 20 to 90 A

    来自美国Leonardo Electronics的未安装的760-830nm棒是波长为830至1100nm的激光二极管,输出功率为20至80W,工作电压为1.85至2V,工作电流为20至90A,阈值电流为10000至28000mA.关于未安装的760-830 Nm钢筋的更多详细信息,请联系我们。

  • 未装配的芯片 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 未装配的芯片 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片830-1100nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片830-1100纳米的更多细节可以在下面看到。

  • VCSEL 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 11 to 22 V 工作电流: 110 A

    美国Leonardo Electronics的VCSEL 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为11至22 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.

  • 水冷激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 V 工作电流: 90 to 105 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)生产的760-830nm水冷激光二极管是一种波长为760-830nm、输出功率为0.5-8W、工作电压为1.85V、工作电流为90-105A、阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 水冷激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 V

    美国Leonardo Electronics的水冷激光二极管830-1100nm是波长为830-1100nm,输出功率为0.5-8W,工作电压为1.85V,工作电流为90-105A,阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管830-1100 nm的更多细节可以在下面看到。

  • 氦气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 to 975 nm 输出功率: Up to 9 W 工作电流: 11 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氦气是一种激光二极管,其波长为808至975 nm,输出功率高达9 W,工作电流为11 A,输出功率(CW)高达9 W.氦气的更多详情见下文。

  • 卡拉特 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 80 W 工作电流: 90 A

    来自SIMIConductor Devices的KARAT是波长为808nm、输出功率为80W、工作电流为90A、输出功率(CW)为80W、工作温度为25℃的激光二极管。

  • 拉皮德系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: 40 to 80W 工作电压: 2 V 工作电流: 50 to 90 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的LAPID系列是波长为808nm、915nm、940nm的激光二极管,输出功率为40至80W,工作电压为2V,工作电流为50至90A,输出功率(连续波)为40至80W.有关LAPID系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 霓虹灯 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 50 W 工作电流: 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氖是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达50 W,工作电流为12 A,输出功率(CW)高达50 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • 奥德姆 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 18 V

    来自SIMIConductor Devices的ODEM是波长为940nm、输出功率为150W、工作电压为18V、工作电流为170A、输出功率(CW)为150W的激光二极管。

  • 蛋白石2 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 3.2 V 工作电流: 120 A

    来自SIMIConductor Devices的Opal 2是波长为940nm、输出功率为100W、工作电压为3.2V、工作电流为120A、输出功率(CW)为100W的激光二极管。Opal 2的更多细节可参见下文。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。