FastGateDSPAD模块是一款紧凑型检测模块，能够选通硅SPAD，用于宽动态范围光学测量。该模块包括一个快速脉冲发生器，在高达80 MHz的重复率下，门控转换低于200 PS，具有完全可编程的导通时间和过量偏置。差分前端电子设备拾取具有低时序抖动的雪崩脉冲。该模块也可以在自由运行模式下运行，SPAD始终开启。该模块的主要特点是由于快速的开关转换，可以增加TCSPC系统的动态范围。因此，通过仅在明确定义的时间窗口中启用检测器，可以从巨大的背景中提取弱信号。通过使用外延SPAD和优化的微波布局来减少快速门转换后电压振荡的影响，获得了良好的光子探测效率和时间分辨率。FastGateDSPAD模块通过PC软件界面进行控制，其中可以设置所有相关的门参数（int./ext。触发、门频率、门宽度）和探测器的所有参数：温度、过量偏压和截止时间。通过这种方式，可以在DCR、截止时间和光子探测效率方面调整探测器性能，以便适当地匹配用户应用的要求。

ST转SC光纤适配器允许您通过简单地插入光纤跳线将多模ST连接转换为多模SC连接。

-数值孔径（NA）

Flyin Optronics的单模耦合器1x2 2x2具有非常低的插入损耗、低偏振依赖性和出色的环境稳定性，精确的耦合比从50/50到1/99，光纤类型为250um裸光纤、3mm和900um松套管光纤，具有非常严格的一致性。单模标准耦合器和宽带耦合器元件广泛应用于各种光通信系统中，以实现功率分配和监控功能。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

硫系As2S3和As2Se3玻璃光纤具有较宽的传输范围（1.5μm~6.5μm和1.5μm~10μm）和较低的传输损耗，具有较高的非线性系数、较小的负折射率温度变化（DN/DT）、良好的功率容量和化学稳定性，可用于制作SMA、FC/PC和FC/APC等传输电缆。然而，由于硫系玻璃的高折射率（As2S3约为2.4，As2Se3约为2.7），光纤在输入和输出面会发生较大的菲涅尔反射（17%和21%）。对于采用SMA或FC/PC终端的电缆，输入端的这种反射可能会对激光器或其他光学元件造成不良影响。对于需要消除这种反射的应用，必须使用隔离器。在输入面采用8°角的FC/APC终端并不能缓解背向反射问题。然而，由于这些反射造成的功率损耗，上述终端仍将经历较低的传输功率。Irflex的FC/B®终端允许输入光束在输入面几乎完全传输，这意味着除了消除不需要的背向反射外，更多的功率被耦合到光纤中。我们的FC/B®连接器利用透射材料的布儒斯特角特性，在输入面实现了几乎完全的透射和无反射。以布儒斯特角入射到材料上的光对于其电场平行于入射平面的光将不会经历反射；这被称为TM或P极化。具有TE或S偏振的光仍将经历反射；因此，该角度也被称为偏振角。

新的FCB-ER8300块相机集成了1/2.3型Exmor R传感器，能够在高达30p的4K分辨率（3，840 X 2，160，QFHD）。该相机采用高品质12倍光学变焦镜头，当与超级分辨率变焦相结合时，可在高达20倍变焦时保持4K分辨率，在紧凑的外形中提供增强的4K可视性。这款相机还继承了索尼广受欢迎的FCB系列相机的一些独特功能，如自动ICR、隐私区域遮罩、降噪和可见度增强，支持在具有挑战性的照明条件下使用。这些出色的功能和优势使FCB-ER8300非常适合要求苛刻的广域监控应用，如运输、体育赛事监控、视频会议等。

推出我们FCB系列的较新版本：FCB-ER8550与FCB-ER8530一样，在方便和兼容的外形中重置了画质和性能，为各种空间和外形非常重要的应用带来了4K可能性。FBC-ER8550配备了较新的索尼CMOS传感器技术，是备受推崇的FCB-ER系列的较新版本，该系列首次推出时推出了FBC-ER8300。FCB-ER8550提供30fps的4K分辨率和集成的20倍光学变焦镜头，但包括外部同步功能。外形尺寸几乎与FCB-EV7520相同，因此提供了一种方便的解决方案来迁移到4K，而无需重新设计您的较终解决方案。FCB-ER8550的外部同步功能为部署多个摄像机的用户提供了额外的好处，例如在广播环境中或将FCB与其他附件（如红外光或热感摄像机）一起使用，这在视频监控行业中很常见。FCB-ER8550继承了索尼全球知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA推荐协议、Auto-ICR和图像稳定。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

新的FCB-ES8230代表了高质量和“同类较佳”图像的新途径，具有令人惊叹的4K清晰度，这要归功于索尼1型Exmor R CMOS传感器的组合。高品质镜头和索尼独特的ISP引擎。FCB-ES8230是我们不断扩大的4K工业相机系列的较新版本，是对较近推出的FCB-ER8550和FCB-ER8530 4K相机模块的补充，该产品主要针对广播/视频行业，具有薄景深等特殊功能，并首次采用FCB技术，结合了光学图像稳定技术，可提供丰富、高品质和稳定的图像。FCB-ES8230提供每秒30帧的4K分辨率以及集成的12倍光学变焦镜头，但在4K质量下具有高达18倍的超级分辨率变焦。还包括12倍的额外数码变焦。FCB-ES8230继承了索尼世界知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA命令协议、自动ICR和各种曝光、白平衡和聚焦控制功能。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

扭转式准直器快速连接到FC或SMA连接器光纤电缆，以产生准直光束。扭转式准直器包含一个微透镜，专为衍射限制性能而设计。镜头的两个表面都有抗反射涂层，峰值波长的透射率>98%。通过简单的手动调节NE-螺纹弹簧加载的聚焦筒，可以实现不同波长的焦点补偿。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。