• Opolette 532 激光器模块和系统
    美国
    厂商:OPOTEK Inc
    类型: Laser System 技术: Solid State Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 680 to 2400 nm

    来自Opotek的Opolette 532是波长为680至2400nm、脉冲能量为8.6至12.8mJ的激光器。Opolette 532的更多细节可以在下面看到。

  • 焦点迷你 激光器模块和系统
    美国
    厂商:OPOTEK Inc
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 690 to 950 nm

    Opotek的Phocus Mini是一种波长为690至950 nm、脉冲能量为15 MJ的激光器。Phocus Mini的更多详细信息可以在下面看到。

  • 镭射QX4130 激光器模块和系统
    美国
    厂商:OPOTEK Inc
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 410 to 2500 nm

    Opotek的Radiant QX4130是一款可调谐激光模块,工作波长范围为410至2500 nm.它提供450mJ@450nm的脉冲能量,重复频率为20Hz,脉冲宽度为4~7ns.激光器产生的光束直径为6.5mm,发散度小于1.5mrad.它利用光学参量振荡器技术在UV、VIS和IR光谱的宽范围内产生波长。波长调谐是机动化和计算机控制的。激光模块尺寸为29 X 16 X 10 cm.

  • TPG2EW1S09 半导体激光器
    美国
    应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V

    Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

  • QDFBLD-105X-20 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 20 mW 工作电流: 130 to 150 mA

    Qphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管,工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW,上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • qdfbld-1550-100 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    波长: 1528 to 1565 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.626 A 阈值电流: 40 to 80 mA

    Qphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管,工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW,上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏(PM)光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • QLD-810-100S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 812 nm 输出功率: 0 to 0.1 W 工作电压: 2.1 V

    QLD-810-100S是Qphotonics公司生产的波长为812nm的半导体激光器,输出功率为0~0.1W,工作电压为2.1V,工作电流为0.17~0.17A,阈值电流为28mA.有关QLD-810-100S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-840-200S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 839.3 nm 输出功率: 0 to 0.1997 W 工作电压: 2.15 V

    QLD-840-200S是Qphotonics公司生产的波长为839.3nm的半导体激光器,输出功率为0~0.1997W,工作电压为2.15V,工作电流为0.265~0.292A,阈值电流为54mA.有关QLD-840-200S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-945-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 948.4 nm 输出功率: 0 to 0.3012 W 工作电压: 1.88 V

    QLD-945-300S是Qphotonics公司生产的波长为948.4nm的半导体激光器,输出功率为0~0.3012W,工作电压为1.88V,工作电流为0.319~0.351A,阈值电流为30mA.有关QLD-945-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • 1310纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 6 to 15 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1310nm Fabry-Perot激光器是波长为1310nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为6至15mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1550纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 10 to 14 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1550nm Fabry-Perot激光器是波长为1550nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为10至14mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • LCW/SCW系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser (Fiber CW), Pulsed Laser (Fiber, TO56) 工作电压: 3 V 工作电流: 1000 mA 阈值电流: 30 to 45 mA 激光颜色: Infrared

    OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光模块提供单模和多模光纤选项。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

  • TCW RGBS-400R 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 输出功率: 3 mW 激光颜色: Visible, Red, Green, Blue 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 4 / 125 / 900 um

    OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器,工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率,同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装,是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求,可提供额外的光纤尾纤选项。

  • LDX-4119-660 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

  • 蓝光-DE-44x 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 449 nm 输出功率: 0 to 10 W 工作电压: 6 to 24 V 工作电流: 1.6 to 1.7 A

    Ushio Opto Semiconductors的Blue-DE-44X是一种NECSEL蓝色直接发射激光器,工作波长为440至449 nm.它可提供10 W的输出功率,并具有高达28%的电源转换效率。激光器的纤芯直径为0.400mm,数值孔径为0.22。它的阈值电流高达350 mA,使用寿命长达20,000小时。该激光器采用带SMA-905连接器的光纤耦合封装,是数字投影、远程光源照明、危险照明、磷光照明、激光表演、医疗和法医应用的理想选择。

  • HL40033G 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industry, Bio Medical 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0 to 1000 mW 工作电压: 5 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40033G是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.它提供高达1 W的CW输出功率。该自由空间激光器需要5V电源,采用直径为9 mm的TO-CAN封装。该激光器适用于PCB、工业、显示器以及生物和医疗应用的成像。

  • HL63283HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 632 to 641 nm 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 1300 to 1600 mA 阈值电流: 340 to 440 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装,是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。

  • HL6545MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 652 to 664 nm 输出功率: 0.13 W 工作电压: 2.5 to 3.3 V 工作电流: 0.175 to 0.21 A

    Ushio公司的HL6545MG是一种波长为652~664nm,输出功率为0.13W,工作电压为2.5~3.3V,工作电流为0.17 5~0.21A,阈值电流为60~75mA的半导体激光器。有关HL6545MG的更多详细信息,请联系我们。