• VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

    VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源(GS)微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

  • VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导,以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触,使用地-源-地(GSG)微探针或金属线键合。

  • T56-850TB 高速光通信发射器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nm

    T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器(VCSEL)和一个可选的驱动集成电路,集成在测试板上,并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动,提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

    1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用,具备高工作功率和宽温度范围。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • DLTC 300 数字温控器 散热解决方案
    英国
    厂商:RedWave Labs Ltd
    功率: +5 V to 30 V (Vdd) 输入传感器: NTC, PTC thermistor 10, 50, 100, 250, 500, 1000, 1500 µA activation current 恒流输出电压: 8V typical maximum value 内部设定点: 软件选择 外部设定点: 0-5 V through 14 pin connector or software defined

    DLTC 300是一款数字式开关模式温控器,具有高效率和全数字PWM(脉冲宽度调制)控制的特点,适用于激光器、探测器等精密设备,温度稳定性高达0.001°C。

  • QubeCL 激光器精确驱动和控制平台 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    最大电流范围: 0.5 A, 1 A, 1.5 A, 2 A, 2.5 A 均方根电流噪声: <1 µA RMS 电流噪声谱密度: <400 pA/√Hz 电流稳定性(1小时): 10 ppm FS 恒流输出电压: 18 V

    QubeCL是一个模块化平台,针对半导体激光器,特别是量子级联激光器(QCLs),提供了精确和简单的驱动和控制工具。该系统集成了多个高性能仪器于10x10 cm2的超紧凑占地面积内。具有极低的电流噪声和高精度的温度控制,适用于高精度的科学研究和工业应用。

  • QubeCL系统 高性能激光器驱动环境 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    工作温度: -20到+40°C 储存温度: -20到+70°C 主电源电压: 26V TEC电源电压: 26V 监控电源电压: 5.5V

    QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境,也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统,获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线,并将易受干扰的连接封闭在其框架内,从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。

  • QubeDT-F  高性能的光电探测器 光电探测器
    意大利
    分类:光电探测器
    厂商:ppqSense S.r.l.
    直流偏置电压: 500mV 温度稳定指示: T LOCK LED

    QubeDT-F Fast Balanced Photodetector是一款高性能的光电探测器,专为激光器光强和光束质量精确测量而设计。QubeDT-F可快速差分平衡光电探测器,用于精确测量激光器的光强和光束质量。

  • EM339 制冷型多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率: 3W 波长: 808nm 数值孔径: 0.22 工作电压: 2.3V 工作电流: 4.5A

    EM4公司的EM339是一款高亮度、光纤耦合、制冷型多模激光器。这款高功率激光器器件被密封在行业标准的14针蝶形金属陶瓷封装中,包含用于芯片温度控制的Peltier制冷器和用于温度监测的热敏电阻。适用于光纤激光器、激光泵浦、标记、材料加工和国防等应用场景。

  • 5W冷却9XX多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    中心波长: 915, 940, 960, 975 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 6.5 A 阈值电流: 0.4-0.6 A

    5W COOLED 9XX MULTI-MODE LASERS提供高亮度、高可靠性的光纤耦合设计,适合光纤激光器、镱离子激光泵浦等应用。高可靠性的光纤耦合设计,采用14针蝶形封装。这些高功率激光器适用于需要高亮度的各种应用,具有可靠和坚固的封装。

  • 6W未冷却多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    中心波长: 915nm/940nm/960nm/975nm±10nm 输出功率: 6W/7W 工作电压: 2.2V 工作电流: 8A/9A 阈值电流: 0.4A/0.6A

    EM4公司的6W未冷却多模激光器,采用14脚蝶形封装,具有高功率光纤耦合输出,适用于高亮度要求的多种应用场景。

  • AC1409系列单模泵浦激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 运行功率: 540-700mW 中心波长: 980nm 波长公差: -1/+1nm (FBG), -5/+5nm (without FBG) 光谱温度漂移: 0.01nm/°C (FBG), 0.30nm/°C (without FBG)

    AC1409系列单模冷却980nm泵浦激光器,提供超过700mW无突跳的光纤耦合功率。采用独特的激光焊接封装技术,确保在严苛的操作条件下高可靠性。通过先进的光纤尾纤构造技术实现改善的偏振消光比(PER)。14针蝶形封装为密封式,可选配光纤布拉格光栅(FBG),包括热电制冷器、热敏电阻、监测光电二极管和UniDry™干燥剂。适用于国防、工业和生命科学等领域。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。

  • EM655 集成高带宽DFB激光器的RF发射器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率设定点: 1310nm设备18mW,C-band设备10mW 中心波长: 1310nm设备, 25°C λ-10λλ+10nm,C-band设备, 25°C λ-1λλ+1nm 光输出功率波动: 65-100PPM 长期功率波动: 0.1-0.2% 温度依赖功率漂移: 0.35%

    EM655是基于精确的DFB激光技术的高性能单频模块。这个RF发射器集成了高带宽光纤耦合DFB激光器,超低噪声激光电流源和温度控制器,还包括光隔离器和背面监测探测器读出放大器。适用于RF链接、CATV、激光器和感测等应用场景。

  • EM650 高功率光纤耦合DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: -15~65°C 电源电压: 4.7~5.5V 电源电流: 3.5A 激光器启用输入电压: GND-0.3V~+0.3V

    EM650是一款高功率光纤耦合DFB激光器,提供超低噪声和温度控制,卓越的频率稳定性、窄线宽、低噪声和稳定的偏振,适用于长距离WDM传输、射频链接、CATV等应用。