OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管，工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒，峰值功率超过75瓦，同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴（垂直轴）和慢轴（平行轴）提供了具有等效发散值（8×8 FWHM）的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装，是关键国防应用（如现场部署的测距仪）的理想选择。

OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光模块提供单模和多模光纤选项。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器，以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器，工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率，同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装，是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求，可提供额外的光纤尾纤选项。

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器，可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm（FWHM），光束发散角为7度（平行）和40度（垂直）。在大多数封装上，这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接，并且具有高精度放置，无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装，尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm，是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的Blue-DE-44X是一种NECSEL蓝色直接发射激光器，工作波长为440至449 nm.它可提供10 W的输出功率，并具有高达28%的电源转换效率。激光器的纤芯直径为0.400mm，数值孔径为0.22。它的阈值电流高达350 mA，使用寿命长达20，000小时。该激光器采用带SMA-905连接器的光纤耦合封装，是数字投影、远程光源照明、危险照明、磷光照明、激光表演、医疗和法医应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL40033G是一款紫色激光二极管，工作波长为400至410 nm.它提供高达1 W的CW输出功率。该自由空间激光器需要5V电源，采用直径为9 mm的TO-CAN封装。该激光器适用于PCB、工业、显示器以及生物和医疗应用的成像。

Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装，是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。

Ushio公司的HL6545MG是一种波长为652~664nm，输出功率为0.13W，工作电压为2.5~3.3V，工作电流为0.17 5~0.21A，阈值电流为60~75mA的半导体激光器。有关HL6545MG的更多详细信息，请联系我们。

来自II-VI Incorporated的CM97A1064是波长为1064±5nm的激光二极管，CW模式输出功率为600-700mW，脉冲模式输出峰值功率为1.2W-1.4W，工作电压为1.7-2.5V，阈值电流为40-90mA。可应用于光纤激光器和传感技术。有关CM97A1064的更多详细信息，请联系我们。

NDA4116是一种波长为468~478 nm，输出功率为0.1 W，工作电压为5.7 V，工作电流为0.12 A，阈值电流为20~45 mA的半导体激光器。有关NDA4116的更多详细信息，请联系我们。

NDB4116是一种波长为440~450nm，输出功率为0.1W，工作电压为5.3V，工作电流为0.1A，阈值电流为10~50mA的半导体激光器。有关NDB4116的更多详细信息，请联系我们。

NDS4116是日本日亚化学工业株式会社生产的波长为483~493nm的半导体激光器，输出功率为0.06W，工作电压为5.6V，工作电流为0.1A，阈值电流为30~50mA.有关NDS4116的更多详细信息，请联系我们。

NDS4216是一种波长为483~493nm，输出功率为0.2W，工作电压为6V，工作电流为0.27A，阈值电流为25~70mA的半导体激光器。有关NDS4216的更多详细信息，请联系我们。

NDV4916E是日本日亚公司生产的波长为410~420nm的半导体激光器，输出功率为0.12W，工作电压为4.7V，工作电流为0.11A，阈值电流为34~50mA.有关NDV4916E的更多详细信息，请联系我们。

NDV4A16E是日本Nichia公司生产的波长为420~425nm的半导体激光器，输出功率为0.12W，工作电压为5.2V，工作电流为0.1A，阈值电流为24~50mA.有关NDV4A16E的更多详细信息，请联系我们。

NDV7116是一种波长为400~405nm，输出功率为0.6W，工作电压为4.1V，工作电流为0.55A，阈值电流为100~180mA的半导体激光器。有关NDV7116的更多详细信息，请联系我们。

World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管，工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW，斜率效率为1.1W/A，垂直发散角为20°，平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA，反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA，要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装，非常适合生物医学应用。

Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管，工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW，调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装，不带光电二极管，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率，并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度（平行）、23-33度（垂直），光束角为±3°（平行和垂直）。它需要高达2.5 V的电源电压，功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术设计的，具有量子阱结构。它采用TO18封装，带有一个平面窗口，适合工业应用。

Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管，工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW，斜率效率为0.8W/A，阈值电流为40mA，采用多量子阱结构，工作在TE横模。它需要6 V直流电源，功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø5.6 mm，带平面窗口，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。