当检测拉曼散射时，样品的荧光可以是大的非拉曼信号源。由于荧光信号也从激光频率偏移，因此难以将其滤除。幸运的是，通过使用较长波长的激光作为激发源，可以减少荧光。785nm激光一直是拉曼光谱的主要激发源，因为它产生相对较低的荧光，并且光电探测器阵列在该波长范围内广泛可用。较近，InGaAs光电探测器阵列已经商业化，其将波长探测范围扩展到1-2mm。将InGaAs光电探测器与1064nm激光激发源耦合减少了来自荧光的干扰。下面显示了分别使用785和1064nm激光的机油的拉曼光谱。

当检测拉曼散射时，样品的荧光可以是大的非拉曼信号源。由于荧光信号也从激光频率偏移，因此很难将其滤除。幸运的是，通过使用较长波长的激光作为激发源，可以减少荧光。785nm激光一直是拉曼光谱的主要激发源，因为它产生相对较低的荧光，并且光电探测器阵列在该波长范围内广泛可用。较近，InGaAs光电探测器阵列已经商业化，其将波长探测范围扩展到1-2mm。将InGaAs光电探测器与1064nm激光激发源耦合减少了来自荧光的干扰。下面显示了分别使用785和1064nm激光的机油的拉曼光谱。

利用连续微片激光器的窄线宽辐射，通过注入种子实现了单纵模和单横模发射。激光器以8至15kHz的重复率在M2<1.2的衍射极限光束中提供持续时间为T<12ns的短输出脉冲。种子激光输出的光谱带宽为ν<80MHz。由于S<1%的高脉冲-脉冲稳定性，这些激光器非常适合于科学应用。在1064nm处平均输出功率达到10W，在倍频532nm处平均输出功率达到5W。355nm、266nm和213nm的紫外波长具有超稳定的脉冲轨迹和常规激光器无法提供的高相干长度。

磷酸钛氧钾（KTiOPO4），简称KTP，是一种成本相对较低的可见-红外波段高效非线性光学晶体。具有较大的非线性系数。KTP-DEFF在1064nm处的有效非线性光学系数是BBO的1.5倍以上。

Gamdan水热生长的KTP提供极低的吸收（完全校准）<10ppm/cm@1064nm，<300ppm/cm@532nm（比助熔剂生长的KTP低10-100倍）极佳的均匀性，WFD为λ/10@633nmUV级超级抛光可实现较佳高功率性能，粗糙度：<5Å，S/D为0-0长脉冲高功率医用激光器的优异性能Gamdan Flux-Grown KTP提供极佳的均匀性，WFD为λ/10@633nmUV级超级抛光可实现较佳高功率性能，粗糙度：<5Å，S/D为0-0针对批量应用的极具竞争力的定价

1964年，贝尔实验室首次演示了掺杂三价钕的钇铝石榴石作为激光增益介质的操作[1]。今天，Nd：YAG已经在固体激光材料中取得了主导地位，成为世界范围内使用较广泛的激光介质，应用于医疗、工业、军事和科学市场。Nd：YAG激光器通常发射1064nm的红外光，但也使用940、1120、1320和1440nm附近的其他跃迁[2]。在SM，我们专注于高纯度低损耗稀土掺杂YAG激光材料的生长和制造。SM的研究带来了许多发现，使激光材料表现出更高的效率、更大的输出功率、更高的抗损性、更低的热透镜效应、更高亮度和更高TEM00输出。我们为您的大批量生产或小批量开发工作提供激光棒、平板、光盘、无源Q开关和YAG光学器件的定制制造。

Nd：YAG晶体棒用于激光打标机和其他激光设备。它是先进能在常温下连续工作的固体物质，是性能较优异的激光晶体。另外，YAG（钇铝石榴石）激光器可以掺杂铬和钕以增强激光器的吸收特性。它吸收能量并通过偶极-偶极相互作用将能量传递给钕离子（Nd3+），该激光器发射波长为1064nm。1964年，贝尔实验室首次演示了Nd：YAG激光器的激光作用。Nd，Cr：YAG激光器由太阳辐射泵浦。通过掺杂铬，增强了激光的能量吸收能力，并发射出超短脉冲。

FPD-XXXS-1064-YY-DBR系列高功率边缘发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以实现高功率可靠性。应用包括光纤放大器注入、二次谐波产生、光谱学、差频产生和低功率DPSS替代。

FAXD-1064-100S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处连续输出功率为100mW。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-180S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处具有180mW的连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-1W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有1W连续输出功率。发射器尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-200S-BTF是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处具有200mW连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-200S-XX是在1064nm处具有200mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-2W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有2W CW输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-300S-XX是在1064nm处具有300mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-350S-XX是在1064nm处具有350mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-3W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有3W连续输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。