• 激光二极管FNLD-50S-1053D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1082A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.082um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1090D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.090um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1090D是用MOCVD半导体激光器制备的1090nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1090D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1300D是连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S 1550D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 fold-405-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 12mW

    FOLD-405-12S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-405-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 25mW

    FOLD-405-25S-VBG是一种单模半导体激光器405nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-405-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 40mW

    FOLD-405-40S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 12mW

    FOLD-406-12S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 25mW

    FOLD-406-25S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-406-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 40mW

    FOLD-406-40S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-20s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 20mW

    FOLD-638-20S-VBG是一种单模半导体激光器638nm连续输出功率为20mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-32s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 32mW

    FOLD-638-32S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-9s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 9mW

    FOLD-638-9S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-20s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 20mW

    FOLD-640-20S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有20mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-32s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 32mW

    FOLD-640-32S-VBG是单模半导体激光器在640nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-9s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 9mW

    FOLD-640-9S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管Fold-656-35s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.656um 输出功率: 35mW

    FOLD-656-35S-VBG是一种单模半导体激光器在656nm处具有35mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。