• 可焊接的光电二极管芯片系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位

    这是一系列可焊接的光电二极管芯片,提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大活动区域的光检测器,无论是否带有飞线以便组装,或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

  • 四边形位置传感器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670

    四边形位置传感器(Tetra-Lateral Position Sensors)采用单一电阻层制造,适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极,用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

  • PIN-4X4D/UDT-4X4D 4x4硅光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 峰值波长: 632nm(PIN-4X4D), 810nm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 电容: 75pF(PIN-4X4D), 35pF(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D)

    PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列,具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应,具有快速响应和极低串扰的特点。

  • 双层夹心探测器系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)

    双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series),又称双色探测器,主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线,来测量温度。这些设备适合于光学远程测量,具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用,具有紧凑、密封性好等特点。

  • UV增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

    OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列:反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

  • 紫外线增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

    OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列:反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器,适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面,非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用,能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

    FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸,封装在4针TO-46或TO-52封装中,为高速信号放大提供了理想条件。

  • AS615-UDK-H/AS615-EDK-H高精度的车辆监控系统 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    安装位置: Overhead: 19.5 Ft – 25 Ft / 5.9 – 7.6m 视场角: 30 degrees 角分辨率: 1 degree 扫描速率: 360 scans per second per beam 车辆分类类别: 11 standard, plus 20 user-definable categories

    AS615-UDK-H和AS615-EDK-H是高精度的车辆监控系统,适用于单车道和多车道的开放道路或收费站,实现车辆检测、分离、分类和相机触发。