• 激光二极管FKLD-200M-808-40X-TM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 200mW

    FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。

  • 激光二极管FKLD-20S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-20S-850-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-850-60X是850nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-850-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-300M-808-40X-TE-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 300mW

    FKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。

  • 激光二极管FKLD-30S-660-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.658um 输出功率: 30mW

    FKLD-30S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-30S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-30S-685-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 30mW

    FKLD-30S-685-60X是685nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-30S-685-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-35S-660-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.658um 输出功率: 35mW

    FKLD-35S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-35S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-3S-785-60X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 3mW

    FKLD-3S-785-60X-L是用MOCVD半导体激光器制备的785nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-3S-785-60X-L是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-40S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 40mW

    FKLD-40S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-40S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-40S-855-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.855um 输出功率: 40mW

    FKLD-40S-855-60X是用MOCVD半导体激光器制作的855nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-40S 855-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-50S-660-75X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    FKLD-50S-660-75X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-50S-660-75X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。

  • 激光二极管FKLD-50S-685-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 50mW

    FKLD-50S-685-60X是685nm InGaAlP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-50S-685-60X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-5S-635-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.635um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-635-50X是635nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-5S-635-50X是CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-637-40x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-637-40X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于低操作电流增强可靠性。FKLD-5S-637-40X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-5S-650-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-50X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-650-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-5S-650-70X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-70X-L是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-70X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于DVD播放器和DVD ROM以及其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-60X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。