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工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 1 to 1 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode来自OSI Laser Diode，Inc.的LP8M10-23-50R是波长为850 nm、输出功率为1至1 W、阈值电流为250 mA、输出功率（CW）为1至1 W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。关于LP8M10-23-50R的更多细节可参见下文。
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工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 1 to 1 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode来自OSI Laser Diode，Inc.的LP8M10-23-6是波长为850 nm、输出功率为1至1 W、阈值电流为250 mA、输出功率（CW）为1至1 W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。关于LP8M10-23-6的更多细节可参见下文。
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技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 VQuantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。
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波片类型: Zero-Order Half-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 2000 to 6500 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 2.5 mm 镀膜材料: IR来自AlphaLas的Po-TWP-L2-12-IR是波长范围为2000至6500nm的波片，波片厚度为2.5mm，波片直径（英寸）为0.4英寸，波片直径（mm）为11mm（通光孔径）。Po-TWP-L2-12-IR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Half-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 150 to 6000 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 2.5 mm 镀膜材料: UVIR来自AlphaLas的Po-TWP-L2-12-UVIR是波长范围为150至6000nm的波片，波片厚度为2.5mm，波片直径（英寸）为0.4英寸，波片直径（mm）为11mm（通光孔径）。Po-TWP-L2-12-UVIR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Half-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 1000 to 19000 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 5 mm 镀膜材料: FIR来自AlphaLas的Po-TWP-L2-25-FIR是波长范围为1000至19000nm的波片，波片厚度为5mm，波片直径（英寸）为0.9英寸，波片直径（mm）为24mm（通光孔径）。Po-TWP-L2-25-FIR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Half-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 500 to 6500 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 5 mm 镀膜材料: IR来自AlphaLas的Po-TWP-L2-25-IR是波长范围为500至6500nm、波片厚度为5mm、波片直径（英寸）为0.9英寸、波片直径（mm）为24mm（通光孔径）的波片。Po-TWP-L2-25-IR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Half-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 150 to 6000 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 2.5 mm 镀膜材料: UVIR来自AlphaLas的Po-TWP-L2-25-UVIR是波长范围为150至6000nm的波片，波片厚度为2.5mm，波片直径（英寸）为0.9英寸，波片直径（mm）为24mm（通光孔径）。Po-TWP-L2-25-UVIR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Quarter-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 150 to 6000 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 2 mm 镀膜材料: UVIR来自AlphaLas的Po-TWP-L4-12-UVIR是波长范围为150至6000nm的波片，波片厚度为2mm，波片直径（英寸）为0.4英寸，波片直径（mm）为11mm（通光孔径）。Po-TWP-L4-12-UVIR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Quarter-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 500 to 6500 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 5 mm 镀膜材料: IR来自AlphaLas的Po-TWP-L4-25-IR是波长范围为500至6500nm、波片厚度为5mm、波片直径（英寸）为0.9英寸、波片直径（mm）为24mm（通光孔径）的波片。Po-TWP-L4-25-IR的更多详情见下文。
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波片类型: Zero-Order Quarter-Wave Waveplate, Tunable Waveplate 波长范围: 150 to 6000 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 2 mm 镀膜材料: UVIR来自AlphaLas的Po-TWP-L4-25-UVIR是波长范围为150至6000nm的波片，波片厚度为2mm，波片直径（英寸）为0.9英寸，波片直径（mm）为24mm（通光孔径）。Po-TWP-L4-25-UVIR的更多详情见下文。
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再现性: ±0.5 % 校准不确定度: ±2.5 % 探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W, J, µJGentec-EO的XLP12-3S-H2是一款激光功率计，功率范围为3 W，波长范围为0.19至20µm.有关XLP12-3S-H2的更多详细信息，请联系我们。
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再现性: ±0.5 % 校准不确定度: ±2.5 % 探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: WGentec-EO的XLP12-3S-VP是一款激光功率计，功率范围为3 W，波长范围为0.25至20µm.有关XLP12-3S-VP的更多详细信息，请联系我们。
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再现性: ±0.5 % 校准不确定度: ±2.5 % 探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W, J, µJGentec-EO的XLPF12-3S-H2是一款激光功率计，功率范围为3 W，波长范围为0.28至2.1µm.有关XLPF12-3S-H2的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 4 Mb/s 探测器灵敏度: -48 to -50 dBm来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0004是数据速率为4Mb/s、检测器灵敏度为-48至-50dBm、波长范围为1310至1550nm、电源电压为4.75至5.25V、电源电流为30mA的光纤接收器。有关LPAD 0004的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 52 Mb/s 探测器灵敏度: -41 to -43 dBm来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0052是具有数据速率52Mb/s、检测器灵敏度-41至-43dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0052的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 155 Mb/s 探测器灵敏度: -37 to -39 dBm来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0155是具有数据速率155Mb/s、检测器灵敏度-37至-39dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0155的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 622 Mb/s 探测器灵敏度: -31 to -33 dBm来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0622是具有数据速率622Mb/s、检测器灵敏度-31至-33dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0622的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息，请联系我们。
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