• 激光二极管FIDL-30M-945X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 30mW

    FIDL-30M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 30mW

    FIDL-30M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-1060X是1060nm AlInGaAs/AlGaAs多量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30S-1060X光源是连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-947X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.947um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-947X是采用MOCVD半导体激光器制作的947nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-947X是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-30S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-950X是采用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-980X光源是一种连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-880X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.880um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-880X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-880X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-900X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.900um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-900X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-900X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-905X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-910X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-910X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-920X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.920um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-920X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-920X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-960X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-960X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。这些激光二极管是具有窄光谱宽度和超窄光束发散角的单模发射器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光。

  • 激光二极管FIDL-50M-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-1060X是一款CW多模注入式半导体激光二极管。它以9毫米到CAN和TO-3窗口封装交付,集成了TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-905X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1040X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.040um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1040X是InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-1040X是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。