• Intense 1202二极管激光器选择表 半导体激光器
    美国
    厂商:Intense Limited
    中心波长: 0.635um 输出功率: 0.25mW

    高功率连续波可见光二极管激光器的Intense系列1200是当今可见光二极管激光器的较新技术。这些宽面积多模激光器提供极高的亮度、出色的可靠性、良好的量子效率和低热阻。在某些波长下,可提供±3nm的精密公差。这些激光器可采用各种开放式、窗口式和纤维封装,包括C型、9mm、带TE冷却器的TO3和带TE冷却器和快轴准直器的HHL,可轻松集成到系统中。

  • Intense 1302二极管激光器选择表 半导体激光器
    美国
    厂商:Intense Limited
    中心波长: 0.670um 输出功率: 0.00025mW

    高功率连续波可见光二极管激光器的强系列1300是当今可见光二极管激光器的较新技术。这些宽面积多模激光器提供极高的亮度、出色的可靠性、良好的量子效率和低热阻。在某些波长下,可提供±3nm的精密公差。这些二极管激光器可采用各种开放式、窗口式和纤维封装,包括C型、9mm、带TE冷却器的TO3和带TE冷却器和快轴准直器的HHL,可轻松集成到系统中。

  • Iris 15科学CMOS相机 科学和工业相机
    美国
    传感器类型: sCMOS # 像素(宽度): 5056 # 像素(高度): 2968 像素大小: 4.25um 峰值量子效率: 73%

    从大局看IRIS 15 Scientific CMOS相机具有大视场设计,适用于活细胞显微镜应用。其1500万像素的传感器和25毫米的视野可在大成像区域内提供极高分辨率的图像。它是先进一款提供高分辨率和视频速率采集速度的摄像机,可确保正确捕捉和记录动态蜂窝事件。使用25毫米显微镜视场以每秒超过30帧(FPS)的速度拍摄详细的15 MP图像。IRIS 15的像素面积为4.25µm X 4.25µm,符合奈奎斯特空间采样40倍放大倍率的要求,并具有高灵敏度、73%的量子效率和低噪声水平。

  • iStar 320T CCD检测器 科学和工业相机
    传感器类型: iCCD # 像素(宽度): 1024 # 像素(高度): 256 像素大小: 26um 峰值量子效率: 50%

    Andor的iSTAR从CCD传感器和图像增强器技术中汲取精华,实现了快速采集速率和快速、精确选通性能的卓越组合。通过高量子效率图像增强器、热电冷却至-40ºC、500 kHz光电阴极选通率和增强增强器EBI降噪,可获得卓越的探测性能。低抖动、低插入延迟选通电子设备和纳秒级光学选通可提供低至几十皮秒的出色定时精度,通过iSTAR全面的输入/输出触发选项实现复杂实验的超精密同步。

  • 宝石激光器 激光器模块和系统
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.2W 重复频率: 0.001 - 0.02 kHz 脉宽: 10ns 脉冲间稳定性: 2.5%

    宝石激光器是一款坚固耐用的Q开关Nd:YAG DPSS激光器,采用紧凑的单片设计。可靠,重量轻,结构紧凑,易于更换组件,是商业和OEM应用的理想选择。宝石只有6英寸长,重量只有2.5磅,并有一个可更换的谐振器,这将减少激光系统的空间和重量限制,并大大减少停机时间和生产成本。它还具有集成热管理系统,专为需要高可靠性的应用而设计。

  • 开普勒CMOS相机KL400 BI 科学和工业相机
    传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048 像素大小: 11um 峰值量子效率: 95%

    开普勒相机为我们的产品增加了CMOS和高速度。背照式KL400的峰值量子效率为95%,提供24个16位帧/秒,噪声为1.5个电子。在12位模式下,一个80 X 2000的子阵列可以超过1000帧/秒。大面积的KL4040(37 X 37 mm)和KL6060(61 X 62 mm)是复杂步进扫描解决方案的替代方案。我们将继续增加新的CMOS传感器,以满足客户的需求。Kepler KL相机包括USB 3.0接口以及用于高速光纤通信的QSFP(四通道小型可插拔)机架。空气冷却和液体循环管道是标准配置。机电快门是可选的,以便于采集用于校准的偏置和暗图像。开普勒平台还支持深冷版本的大型背照式CCD,如Teledyne e2V CCD230-42和CCD230-84。开普勒KL400提供超高灵敏度、超低噪声和高帧速率,所有这些都具有改变游戏规则的性价比。背照式传感器采用TVISB涂层,在可见光和240 nm下具有较佳性能。UV版本在280 nm处较佳。

  • 激光二极管FF-14YY-XXXS-BTF-FBG 半导体激光器
    德国
    输出功率: 360mW

    FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器,例如用于光传输系统的拉曼放大器,尤其是密集波分复用(DWDM)系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤,并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求,并在ISOTM9001认证生产线上制造。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1020X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.020um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用INSOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1070X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用11.4mm外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-804X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.804um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808D-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-1000M-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,配有监控光电二极管以稳定功率输出。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-905X-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-915X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-980X是980nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-980X光源是CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管,提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。