• REA15008-3P 激光器模块和系统
    脉冲能量: 2.8 J

    CEO的QCW泵浦REA激光模块是任何DPSS激光系统的理想构建模块。设计灵活性允许在谐振器和放大器设计中使用各种棒长度、直径和增益介质(Nd:YAG、Nd:YLF等)。QCW输出能量范围从每脉冲400mJ到>4J.

  • REA25412-45P 激光器模块和系统
    脉冲能量: 8 J

    CEO的QCW泵浦REA激光模块是任何DPSS激光系统的理想构建模块。设计灵活性允许在谐振器和放大器设计中使用各种棒长度、直径和增益介质(Nd:YAG、Nd:YLF等)。QCW输出能量范围从每脉冲400mJ到>4J.

  • GS-10000-QMI 激光器模块和系统
    波长: 1053 nm 类型: DPSS Nd:YLF (water cooled) 功率: 200 W 脉冲能量: 10 J

    Gigashot He激光系统是一种高能量、短脉冲的二极管泵浦固体(DPSS)Nd:YLF激光系统。高效率、超长寿命的准连续波(QCW)泵浦二极管允许激光器工作数十亿次。该激光器使用主振荡器-功率放大器(MOPA)配置来获得近场平顶光束轮廓。规定激光器在1053 nm处发射10 J;振荡器的注入种子是可选的。Gigashot激光器具有长寿命激光二极管条,非常适合用于科学、工业和医疗应用。激光器提供2年/10,000工作小时的二极管保修。还提供定制版本的GigaShot(包括用于增加脉冲能量的振荡器/放大器配置)。

  • SPL BY81-15-34-00C 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 808nm 类型: 巴条(裸片) 工作模式: QCW 电源转换效率: 60% 发射器数量: 34

    80%填充系数,808 nm,500 W(QCW) 同时提供980nm/现货/如有需要请咨询联系我们.

  • 多边形准连续半导体激光器叠阵 半导体激光器
    中国大陆
    峰值功率: 7200W-10800W 中心波长: 808nm 中心波长范围: ±2nm 光谱半高宽(FWHM): 4nm 快轴发散角(FWHM): 36°

    该激光器是多边形形式封装的准连续半导体激光器(QCW Laser Diode Shaped G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。适用于测泵浦,是固体激光器系统的重要组成部分。

  • 环形准连续半导体激光器叠阵 半导体激光器
    中国大陆
    中心波长: 808±2nm 泵浦峰值功率: 800W/1000W/1600W/2000W 脉冲宽度: 250μs 占空比: 25%/3% 巴条数: 16/20

    环形准连续半导体激光器叠阵(Annular QCW Laser Diode Stack)属于高功率固体激光器领域,适用于棒状增益介质。由环形半导体激光阵列和热沉组成,多个半导体激光阵列组成一个完整的圆形泵浦腔,该泵浦方法可以显著提高泵浦密度和泵浦均匀性。

  • LM-808-Q7200-F-G36-P0.73-1 半导体激光器
    中国大陆
    峰值功率: 7200W-10800W 中心波长: 808nm 波长范围: ±2nm 光谱宽度(FWHM): 4nm 快轴发散角(FWHM): 2°

    该激光器是带有快轴准直和防尘窗口的准连续半导体激光器(FAC QCW Laser Diode G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、光斑集中、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

  • 准连续半导体侧泵增益模块 半导体激光器
    中国大陆
    重复率: 100Hz/Q3000-3, 100Hz/Q6000-8, 100Hz/Q16000-1, 500Hz/Q10000-1 泵浦波长: 808±3nm@25℃水温 泵浦谱宽: 4nm 泵浦额定功率: 3000W/Q3000-3, 6000W/Q6000-8, 16000W/Q16000-1, 10000W/Q10000-1 脉冲宽度: 300μs/Q3000-3, 300μs/Q6000-8, 300μs/Q16000-1, 250μs/Q10000-1

    准连续半导体侧泵增益模块(QCW Diode Pumping Laser)是使用固体激光材料作为工作物质的新型激光器。这种激光器采用准连续工作模式的半导体激光器输出固定波长进行泵浦,具有高效率、长寿命、光束质量高、稳定性好、结构紧凑和小型化等特点。

  • 准连续半导体激光器叠阵 半导体激光器
    中国大陆
    峰值功率: 200-1200-1800W 中心波长: 808nm±2 光谱半高宽(FWHM): 3nm 快轴发散角(FWHM): 36° 慢轴发散角(FWHM): 8°

    该激光器是叠阵形式封装的准连续半导体激光器(QCW Laser Diode G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

  • LM-808-Q3600-F-G6H3-P0.55-0 半导体激光器
    中国大陆
    峰值功率: 3600-5400W 中心波长: 808nm 中心波长范围: ±2nm 光谱半高宽(FWHM): 3nm 快轴发散角(FWHM): 36°

    该激光器是面阵(多组叠阵)形式封装的准连续半导体激光器(QCWLaser Diode G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

  • LM-808-Q6000-H-G40-P1.9-0 半导体激光器
    中国大陆
    峰值功率: 6000W 中心波长: 808nm 中心波长范围: ±2nm 光谱半高宽(FWHM): 4nm 快轴发散角(FWHM): 36°

    该激光器是叠阵形式封装的短巴条准连续半导体激光器(QCW Mini-Bar G-Stack),用作泵浦源,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

  • QCW 808nm 300W 高功率激光巴条 半导体激光器
    中国大陆
    波长: 805-811nm 光输出功率: 300W 操作模式: 脉冲 功率调制: 100% 发射器数量: 62

    用于材料加工、医学或传感领域的光泵浦和直接二极管激光器(DDL)应用的高功率激光巴条。

  • 激光二极管驱动 OEM CW/QCW 15A 10V SF6015 v2.1 半导体激光器驱动器

    SF6XXX是高功率、紧凑型OEM恒流半导体激光管驱动器系列。独特的激光驱动器电路解决方案可实现高效率(高达97%)和高功率密度。铝制底板通过水冷或风冷有效去除激光二极管驱动器模块的热量。激光电流驱动器具有大量的保护功能,可确保激光二极管的安全运行。高功率激光驱动器SF6XXX的主要应用领域是激光打标、焊接、焊接和切割应用、医疗设备、激光测量设备、光谱仪、激光雷达、测距仪和实验室测试装置。这些设备是II-VI Laser Enterprise、BWT Beijing Laser Diodes、IPG Photonics、Dilas Diodenlaser、Lumentum等激光二极管的绝佳选择

  • JOLD-120-QPXF-2P W-808nm - 光纤耦合二极管激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 808nm 输出功率: 2000mW 纤维芯直径: 120um

    特点:•120 W QCW的高光输出功率•纤芯直径:600μm(NA 0.22)•集成式先导激光器和功率监控器•长寿命>1GShot,高可靠性

  • JOLD-120-QPXF-2P W-938nm - 光纤耦合二极管激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 938nm 输出功率: 2000mW 纤维芯直径: 120um

    特点:•120 W QCW的高光输出功率•纤芯直径:600μm(NA 0.22)•集成式先导激光器和功率监控器•长寿命>1GShot,高可靠性

  • JOLD-30-CPXF-1L 808:808纳米光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 808nm 输出功率: 30mW 纤维芯直径: 400um

    JOLD-30-CPXF-1L–集成TEC的被动冷却808nm光纤耦合激光二极管。Jenoptik光纤耦合二极管激光模块可用于在CW模式下产生4 W至400 W的光输出功率,在QCW模式下产生120 W的光输出功率。它们也可以在自由空间格式中使用。根据其功率,这些模块使用水、TEC或空气冷却。由于其可靠性和效率,我们的模块成功地用作固体激光泵、材料加工和医学等领域的光束源。他们有AROBUST和紧凑的设计,并已证明其在日常使用中的价值。我们提供808纳米、940纳米和980纳米的标准波长。我们的二极管激光器的纤芯直径为200µm、400µm或600µm。根据要求,我们将很乐意根据您的个人要求调整参数。您还可以选择引导激光器、监控二极管和集成帕尔贴元件。

  • SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.88 um 输出功率: 500000 mW

    80%填充系数,808 nm,500 W(QCW) 同时提供980nm/现货/如有需要请咨询联系我们

  • LD-10XX-BA-15W 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    工作模式: CW 波长: 1030 to 1130 nm 输出功率: 15 W 工作电压: 1.5 to 1.7 V 工作电流: 18 to 20 A

    Innolume的LD-10xx-BA-15W是一款激光二极管,在1064 nm下工作时可提供12 W的输出功率。在准连续波(QCW)工作模式下,它提供35 W的输出功率。激光二极管的波长范围为1030~1130nm.它可用于C-Mount封装,但TO-CAN封装可用于QCW操作。

  • LDP-QCW 300-12 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:PicoLAS
    重复率: 1 kHz 工作模式: Quasi-CW(Pulsed) 输出电流: 50 to 300 A 应用: illumination, pumping of solid-state lasers, spot welding

    PicoLas的LDP-QCW 300-12是一款激光二极管驱动器,工作温度为0至55摄氏度,输出电流为50至300 A,脉冲宽度为100µs至5 ms,重复频率为1 kHz.有关LDP-QCW 300-12的更多详细信息,请联系我们。

  • LDP-QCW 400-12 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:PicoLAS
    重复率: 1 kHz 工作模式: Quasi-CW(Pulsed) 输出电流: 50 to 400 A 应用: illumination, pumping of solid-state lasers, spot welding

    PicoLas的LDP-QCW 400-12是一款激光二极管驱动器,工作温度为0至55摄氏度,输出电流为50至400 A,脉冲宽度为100µs至5 ms,重复频率为1 kHz.有关LDP-QCW 400-12的更多详细信息,请联系我们。