• 激光二极管 faxd-808-8w-200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 8000mW

    FAXD-808-8W-200是一款多模半导体激光二极管,在808nm处具有8W连续输出功率。发射体尺寸为200µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-808-8w-400 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 8000mW

    FAXD-808-8W-400是一款多模半导体激光二极管,在808nm处具有8W连续输出功率。发射器大小为400µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 faxD-808-8W-400-HHLW 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 8000mW

    FAXD-808-8W-400-HHLW是一种多模半导体8W连续输出808nm激光二极管。发射体尺寸为400µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-10w-400 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 10000mW

    FAXD-808-10W-975是一款多模半导体激光器。在975nm处具有10W连续输出功率的二极管。发射极尺寸为400µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-8w-400 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 8000mW

    FAXD-808-8W-975是一款多模半导体激光器。在975nm处具有8W连续输出功率的二极管。发射器大小为400µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808D-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-10S-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 10mW

    FIDL-10S-808X是808nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-10S-808X是一种CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

  • 激光二极管FIDL-1500M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1500mW

    FIDL-1500M-808X是808nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1500M-808X光源是CW多模注入半导体激光二极管。它是采用9mm TO外壳和TO-3封装,内置TEC、热敏电阻来控制激光二极管芯片的温度,并监控光电二极管以稳定输出功率。光学输出窗口由蓝宝石玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-808X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-808X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出。电源。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-650M-808E 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 650mW

    FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FKLD-200M-808-40X-TM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 200mW

    FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。

  • 激光二极管FKLD-300M-808-40X-TE-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 300mW

    FKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。

  • 激光二极管flx-808-10000-1150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 10000mW

    FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器,采用C-Mount、TO3和HHL外壳,集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA(9mm)和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FLX-808-1200M-50 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1200mW

    FLX-808-1200M-50是一款多模半导体激光二极管,在808nm处具有1200mW连续输出功率。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米到CAN,TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-808-2000m-100 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 2000mW

    FLX-808-2000M-100是一款多模半导体激光器。在808nm连续输出2000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米到CAN,TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-808-6000m-200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 6000mW

    FLX-808-6000M-200是一款多模半导体激光器。在808nm连续输出功率为6000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

  • LASER DIODE FLX-808-7000M-400 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 7000mW

    FLX-808-7000M-400是一款多模半导体激光器。在808nm连续输出功率为7000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-808-8000m-200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 8000mW

    FLX-808-8000M-200是一款多模半导体激光器。808nm连续输出功率8000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。