• HL65051DG AlGaInP激光二极管 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 130mW

    HL65051DG AlGaInP半导体激光器。

  • HP-R650-100-DB 650纳米红色激光器 激光器模块和系统
    中国大陆
    厂商:Lasence Inc.
    波长: 650nm 最大输出功率: 100mW 运行模式: Modulated

    Lasence是一家高科技企业,自2009年以来一直专注于RGB激光模块和UV-IR激光器。我们为您制造可靠的激光模块:宽温度范围绿色激光模块、CW&TTL/模拟调制、微直径3.7mm绿色激光模块、光纤耦合激光模块、环形激光模块,线激光、红色激光模块,蓝色激光模块。我们为您制造UV-IR激光器:单频激光器、低噪声激光器、高功率激光器、紧凑型激光器、Q开关/脉冲激光器、光纤耦合激光器。研发部门有近30名工程师,我们可以为您量身定制。

  • HP-R650-80-DB 650纳米红色激光器 激光器模块和系统
    中国大陆
    厂商:Lasence Inc.
    波长: 650nm 最大输出功率: 80mW 运行模式: CW

    Lasence是一家高科技企业,自2009年以来一直专注于RGB激光模块和UV-IR激光器。我们为您制造可靠的激光模块:宽温度范围绿色激光模块、CW&TTL/模拟调制、微直径3.7mm绿色激光模块、光纤耦合激光模块、环形激光模块,线激光、红色激光模块,蓝色激光模块。我们为您制造UV-IR激光器:单频激光器、低噪声激光器、高功率激光器、紧凑型激光器、Q开关/脉冲激光器、光纤耦合激光器。研发部门有近30名工程师,我们可以为您量身定制。

  • 激光二极管635nm 1mW-10mW同轴外壳FOS-635/650-01-10-FC 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.635-0.650um 输出功率: 1-10mW

    激光二极管635nm 1mW-10mW同轴外壳FOS-635/650-01-10-FC。

  • 激光二极管FIDL-100M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管,提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 激光二极管FIDL-20S-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。

  • 激光二极管FIDL-30M-650X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 30mW

    FIDL-30M-650X是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30M-650X是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件的应用系统

  • 激光二极管FIDL-50M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-650D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-650D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-650M-808E 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 650mW

    FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-650-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-10s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-5S-650-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-50X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-650-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-5S-650-70X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-70X-L是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-70X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于DVD播放器和DVD ROM以及其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-7S-650-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 7mW

    FKLD-7S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-7S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头(DVD+CDRW组合驱动器)和其他光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1650 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管,采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 10mW

    FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管源FOSS-01-3S-4/125-650-S-1 半导体激光器
    加拿大
    厂商:OZ Optics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 650nm 输出功率: 1mW 纤维芯直径: 4um

    OZ Optics生产各种波长的光纤激光二极管光源。插座样式的源提供了广泛的插座,而尾纤式光源提供保偏、单模或多模光纤输出选择。每个信号源的前面板上都有一个低电量指示灯。