• FDL-920-2W-TAL 锥形放大器,用于外部空腔设置 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.920um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-950-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-950-2W-TAL 锥形放大器,用于外部空腔设置 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-976-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.976um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-976-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.976um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-976-3W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.976um 输出功率: 3000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-976-3W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.976um 输出功率: 3000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • 光纤耦合激光二极管EP1550-DM-B 1550nm 0.008W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    EP1550-DM-B激光二极管模块成本高昂有效的高相干激光源。专利的离散模式(类DFB)脊形波导技术外延结构设计用于提供基于InP的应变量子阱激光二极管源波长为1.55µm,SMSR高。离散的模式激光二极管芯片工业封装标准密封14针蝶形封装带集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、监控光电二极管和热敏电阻。

  • 光纤耦合激光二极管EP2004-DM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.004um 输出功率: 2mW

    EP2004-DM-B激光二极管模块是一种经济高效的高相干激光源。专利分立模式(类DFB)脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源,其发射波长为2.004µm,具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、监控光电二极管和热敏电阻。

  • 光纤耦合激光二极管EP2108-DM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.108um 输出功率: 2mW

    EP2108-DM-B激光二极管模块是一款经济高效的高相干激光源。专利分立模式(类DFB)脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源,其发射波长为2.108µm,具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、监控光电二极管和热敏电阻。

  • 光纤线路灯POFC-L50H-1500-F1 光缆
    中国大陆
    分类:光缆
    纤维数量: 5 波长范围: 0.19 - 2.5 um 捆绑长度: 1.5m

    用于机器视觉和检测应用的具有均匀线灯的光纤光线。线性光导提供高度均匀和无缝的线光照明,是线阵相机的理想光源。用于Aoi检测LDC、PDP等玻璃板、基板或芯片类物体,当需要长线光源照明时,通过多支路进光,可与多个冷光源配合使用,形成均匀照明。配合使用柱面聚光透镜和平滑胶片,可形成密度更高且均匀的线光源,满足更高分辨率的要求。光纤线光导可应用于工业自动化、光学、科学研究。如机器视觉照明、Aoi检测、针孔检测等用途。

  • 精确切割系统 激光器模块和系统
    德国
    厂商:Precitec

    带有集成摄像机监控的精细切割器系统用于激光功率高达500 W的微型应用。光束源的高光束质量和光学器件的图像质量是制造具有复杂几何形状的零件的要求。几年前,10微米的芯片间隙宽度仍然是不可想象的-今天,它是Precitec较先进的技术。

  • FLTT-808-1.8W-300m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 808nm

    红外激光照明器FLTT-808-1.8W-300M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 808nm

    红外激光照明器FLTT-808-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-860-1.2W-300米红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 860nm

    红外激光照明器FLTT-860-1.2W-300M是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-940-1.8W-300m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 940nm

    红外激光照明器FLTT-940-1.8W-300M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • FLTT-940-2.2W-500m-CAP红外激光照明器 半导体激光器
    德国
    波长: 940nm

    红外激光照明器FLTT-940-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。

  • GLSUN 1xN MEMS光纤开关 光纤光开关
    中国大陆
    分类:光纤光开关
    端口数量: 1 - 128 波长范围: 1310 - 1550 nm 插入损耗: 0.6dB

    GLSUN1XNMEMS光开关基于具有透明波长和多通道准直器的低损耗MEMS芯片。工作波长范围为1260~1670nm。系统控制的智能管理实现了从COM口到任意通道的光交换,其灵活的配置可以满足各种应用。单个器件(非级联)较多可以有128个通道。产品型号单模式1xn(n<64):1x2/1x8/1x16/1x32/1x48/1x641×N(N≤128):1×80/1×96/1×128多模式1×N(N≤12):1×4/1×8/1×12

  • GLSUN MEMS VOA可变光衰减器 光网络配件
    中国大陆
    分类:光网络配件

    GLSunMemsVOA可变光衰减器(VOA)是一种精密可调电压驱动的光学元件。该器件的关键部分是MEMS芯片;驱动电压产生静电力,驱动芯片上的微镜,从而调节输出光功率。它具有体积小、功耗低、响应速度快、抗冲击、低WDL和低PDL等优点。在军事工程中得到了成功应用。符合Telcordia 1221的可靠性标准。GLSUN的LOWO系列具有多种型号,如单波长、双波长和保偏。我们还可以根据客户的要求开发和生产其他MEMS VOA。

  • 灰度/彩色数字区域摄像机30MHz - AC0M4M30CL & AG0M4M30CL 科学和工业相机
    传感器类型: CMOS, CCD # 像素(宽度): 782 # 像素(高度): 582 全帧速率: 250fps 位深度: 12bit

    这款灰度/彩色数字区域(矩阵)微型摄像机是一款灵活的动态图像捕捉工具,适用于需要高质量彩色动态视频流或静态图片捕捉的工业、监控、安全和科学应用。相机的设计既非常紧凑,又非常灵活。存在可互换的捕获、处理和接口模块,这些模块允许相机进行调整以满足各种客户需求。根据要求和系统设计,摄像机可通过Camera Link或TLK1501(G-Link)接口传输视频流。通过功能强大的内置FPGA芯片,可以在相机中完成多种图像处理和转换选项。凭借其高度可调快门、灵活的触发控制选项、可调分辨率和帧速率,同一设备可用于不同用途。标准C/CS镜头支架、在电动镜头中控制变焦和聚焦的能力、电子镜头光圈控制,以及行业标准输出接口的选择,使相机非常容易集成到各种图像处理环境中。