• 激光二极管FIDL-500M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-910X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-910X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-920X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.920um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-920X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-920X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-960X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-960X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。这些激光二极管是具有窄光谱宽度和超窄光束发散角的单模发射器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光。

  • 激光二极管FIDL-50M-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-1060X是一款CW多模注入式半导体激光二极管。它以9毫米到CAN和TO-3窗口封装交付,集成了TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-650D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-650D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-660D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-685D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-698B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.698um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-698B是用MOCVD方法制备的698nm GaInAlP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50M-698B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-905X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1040X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.040um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1040X是InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-1040X是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1060D是1060nm InGaAs/GaAs单量子用MOCVD方法制备了半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-1060D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用5.6mm和9mm TO CAN和TO-3窗口封装,集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装,集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-850D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-850D是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-850D是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-880D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.880um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-880D是用MOCVD半导体激光器制作的880nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-880D是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-895X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.895um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-940X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.940um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。