新的FCB-ER8300块相机集成了1/2.3型Exmor R传感器，能够在高达30p的4K分辨率（3，840 X 2，160，QFHD）。该相机采用高品质12倍光学变焦镜头，当与超级分辨率变焦相结合时，可在高达20倍变焦时保持4K分辨率，在紧凑的外形中提供增强的4K可视性。这款相机还继承了索尼广受欢迎的FCB系列相机的一些独特功能，如自动ICR、隐私区域遮罩、降噪和可见度增强，支持在具有挑战性的照明条件下使用。这些出色的功能和优势使FCB-ER8300非常适合要求苛刻的广域监控应用，如运输、体育赛事监控、视频会议等。

推出我们FCB系列的较新版本：FCB-ER8550与FCB-ER8530一样，在方便和兼容的外形中重置了画质和性能，为各种空间和外形非常重要的应用带来了4K可能性。FBC-ER8550配备了较新的索尼CMOS传感器技术，是备受推崇的FCB-ER系列的较新版本，该系列首次推出时推出了FBC-ER8300。FCB-ER8550提供30fps的4K分辨率和集成的20倍光学变焦镜头，但包括外部同步功能。外形尺寸几乎与FCB-EV7520相同，因此提供了一种方便的解决方案来迁移到4K，而无需重新设计您的较终解决方案。FCB-ER8550的外部同步功能为部署多个摄像机的用户提供了额外的好处，例如在广播环境中或将FCB与其他附件（如红外光或热感摄像机）一起使用，这在视频监控行业中很常见。FCB-ER8550继承了索尼全球知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA推荐协议、Auto-ICR和图像稳定。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

扭转式准直器快速连接到FC或SMA连接器光纤电缆，以产生准直光束。扭转式准直器包含一个微透镜，专为衍射限制性能而设计。镜头的两个表面都有抗反射涂层，峰值波长的透射率>98%。通过简单的手动调节NE-螺纹弹簧加载的聚焦筒，可以实现不同波长的焦点补偿。

FCPA DE 2050 Ultra

FCPA DEµJewel系列

FCPA DEµJewel系列

FCPA DH50K

FCPA DXµJewel系列

FCPA DXµJewel系列

FCPA DXµJewel系列

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。