• TPG2EW1S09 半导体激光器
    美国
    应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V

    Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

  • QDFBLD-105X-20 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 20 mW 工作电流: 130 to 150 mA

    Qphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管,工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW,上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • QDFBLD-105X-50 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW or pulsed operation 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2 to 2.3 V

    来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管,可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器,热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns,工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装,提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。

  • qdfbld-1550-100 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    波长: 1528 to 1565 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.626 A 阈值电流: 40 to 80 mA

    Qphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管,工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW,上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏(PM)光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVB 450-TO56R 半导体激光器
    美国
    芯片技术: GaN 工作模式: Pulsed Laser 波长: 450 nm 输出功率: 0 to 2 W 工作电压: 6 V

    来自OSI Laser Diode的CVB 450-TO56R是一个激光二极管模块,是一个以3针同轴格式封装的450 nm GaN激光二极管。激光二极管与200/230/500um光纤尾纤光学耦合。该装置包括ESD保护二极管。CVB 450-TO56R激光二极管模块专为需要脉冲光功率的非制冷光学计量应用而设计。它符合RoHS标准。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • LCW/SCW系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser (Fiber CW), Pulsed Laser (Fiber, TO56) 工作电压: 3 V 工作电流: 1000 mA 阈值电流: 30 to 45 mA 激光颜色: Infrared

    OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光模块提供单模和多模光纤选项。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

  • SCW 1430系列 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1470 to 1510 nm 工作电压: 2 to 4 V 工作电流: 500 to 1000 mA

    SCW 1430系列激光二极管模块是1490 nm脉冲激光二极管,采用14针DIL、蝶形或3针TO56封装。它们提供高达300mW的光输出功率。这些SCW激光二极管模块非常适合需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用。

  • SCW 1731F-D40R 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1646 to 1654 nm 输出功率: 0.04 to 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    OSI Laser Diode的SCW 1731F-D40R是采用14引脚DIL封装的1650 nm脉冲DFB激光二极管模块。激光二极管光学耦合到SMF光纤尾纤,并包括热电冷却器和电隔离的温度传感热敏电阻。激光二极管模块专为需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用而设计。该器件符合RoHS规范。

  • TCW RGBS-400R 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 输出功率: 3 mW 激光颜色: Visible, Red, Green, Blue 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 4 / 125 / 900 um

    OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器,工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率,同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装,是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求,可提供额外的光纤尾纤选项。

  • LDX-4119-660 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

  • LDX-4224-750 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 750 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 28000 mA

    RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列,工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW,光谱宽度为1 nm(FWHM)。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm,光束发散度为7度(平行)和26度(垂直)。它的阈值电流为12 A,需要1.9 V直流电源,消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片(CS)封装,是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

  • 蓝光-DE-44x 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 449 nm 输出功率: 0 to 10 W 工作电压: 6 to 24 V 工作电流: 1.6 to 1.7 A

    Ushio Opto Semiconductors的Blue-DE-44X是一种NECSEL蓝色直接发射激光器,工作波长为440至449 nm.它可提供10 W的输出功率,并具有高达28%的电源转换效率。激光器的纤芯直径为0.400mm,数值孔径为0.22。它的阈值电流高达350 mA,使用寿命长达20,000小时。该激光器采用带SMA-905连接器的光纤耦合封装,是数字投影、远程光源照明、危险照明、磷光照明、激光表演、医疗和法医应用的理想选择。

  • HL40033G 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industry, Bio Medical 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0 to 1000 mW 工作电压: 5 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40033G是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.它提供高达1 W的CW输出功率。该自由空间激光器需要5V电源,采用直径为9 mm的TO-CAN封装。该激光器适用于PCB、工业、显示器以及生物和医疗应用的成像。

  • HL40063MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Medical, Industrial 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 700 mW 工作电压: 3.8 to 4.7 V 工作电流: 450 to 700 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL40063MG是一款紫色激光二极管,在405nm下工作时可提供高达600 MW的输出功率。该器件采用5.6 mm至CAN封装,非常适合PCB、测量和工业应用的直接成像。

  • HL40093MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 398 to 410 nm 输出功率: 0 to 0.5 W 工作电压: 4.9 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40093MG是一款紫色激光二极管,工作波长为398至410 nm.该激光二极管提供500mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.9 V的直流电压,消耗高达410 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合直接成像曝光系统、3D打印、测量和生物医学应用。

  • HL40113MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40113MG是一款紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的电源电压,功耗为500 mA.该二极管采用TO-56封装,针对激光直接成像等应用进行了优化,包括光刻和印刷电路板(PCB)制造,以及许多生物医学和生命科学领域。

  • HL40115MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40115MG是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的直流电压,消耗500 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合PCB制造、测量和生物医学应用中的直接成像。

  • HL63283HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 632 to 641 nm 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 1300 to 1600 mA 阈值电流: 340 to 440 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装,是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。