硫系As2S3和As2Se3玻璃光纤具有较宽的传输范围（1.5μm~6.5μm和1.5μm~10μm）和较低的传输损耗，具有较高的非线性系数、较小的负折射率温度变化（DN/DT）、良好的功率容量和化学稳定性，可用于制作SMA、FC/PC和FC/APC等传输电缆。然而，由于硫系玻璃的高折射率（As2S3约为2.4，As2Se3约为2.7），光纤在输入和输出面会发生较大的菲涅尔反射（17%和21%）。对于采用SMA或FC/PC终端的电缆，输入端的这种反射可能会对激光器或其他光学元件造成不良影响。对于需要消除这种反射的应用，必须使用隔离器。在输入面采用8°角的FC/APC终端并不能缓解背向反射问题。然而，由于这些反射造成的功率损耗，上述终端仍将经历较低的传输功率。Irflex的FC/B®终端允许输入光束在输入面几乎完全传输，这意味着除了消除不需要的背向反射外，更多的功率被耦合到光纤中。我们的FC/B®连接器利用透射材料的布儒斯特角特性，在输入面实现了几乎完全的透射和无反射。以布儒斯特角入射到材料上的光对于其电场平行于入射平面的光将不会经历反射；这被称为TM或P极化。具有TE或S偏振的光仍将经历反射；因此，该角度也被称为偏振角。

新的FCB-ER8300块相机集成了1/2.3型Exmor R传感器，能够在高达30p的4K分辨率（3，840 X 2，160，QFHD）。该相机采用高品质12倍光学变焦镜头，当与超级分辨率变焦相结合时，可在高达20倍变焦时保持4K分辨率，在紧凑的外形中提供增强的4K可视性。这款相机还继承了索尼广受欢迎的FCB系列相机的一些独特功能，如自动ICR、隐私区域遮罩、降噪和可见度增强，支持在具有挑战性的照明条件下使用。这些出色的功能和优势使FCB-ER8300非常适合要求苛刻的广域监控应用，如运输、体育赛事监控、视频会议等。

推出我们FCB系列的较新版本：FCB-ER8550与FCB-ER8530一样，在方便和兼容的外形中重置了画质和性能，为各种空间和外形非常重要的应用带来了4K可能性。FBC-ER8550配备了较新的索尼CMOS传感器技术，是备受推崇的FCB-ER系列的较新版本，该系列首次推出时推出了FBC-ER8300。FCB-ER8550提供30fps的4K分辨率和集成的20倍光学变焦镜头，但包括外部同步功能。外形尺寸几乎与FCB-EV7520相同，因此提供了一种方便的解决方案来迁移到4K，而无需重新设计您的较终解决方案。FCB-ER8550的外部同步功能为部署多个摄像机的用户提供了额外的好处，例如在广播环境中或将FCB与其他附件（如红外光或热感摄像机）一起使用，这在视频监控行业中很常见。FCB-ER8550继承了索尼全球知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA推荐协议、Auto-ICR和图像稳定。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

扭转式准直器快速连接到FC或SMA连接器光纤电缆，以产生准直光束。扭转式准直器包含一个微透镜，专为衍射限制性能而设计。镜头的两个表面都有抗反射涂层，峰值波长的透射率>98%。通过简单的手动调节NE-螺纹弹簧加载的聚焦筒，可以实现不同波长的焦点补偿。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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