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FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。
FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出,适用于各种光电系统。
FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。
FLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器,采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。
FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器,采用C-Mount、TO3和HHL外壳,集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA(9mm)和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。
FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装,集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器:FC/PC,ST,SC,SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。
CLD–MW是一款用户控制的激光器,在单个紧凑封装中集成了激光器和控制电子设备。内置触摸屏显示器控制并显示完整的激光操作参数。CLD–MW允许用户设置激光功率和温度,扫描激光功率,并使用高达1 MHz的内置内部函数发生器调制激光。外部调制较高可达20 MHz。CLD–MW具有出色的光束质量、功率稳定性、激光温度控制和低噪声,适用于要求苛刻的应用。
自定义选项带有固件和软件的定制电子驱动程序机械设计光纤耦合版本(多模、单模和保偏)其他波长
自定义选项带有固件和软件的定制电子驱动程序机械设计光纤耦合版本(多模、单模和保偏)不同的波长线光学USB连接TTL调制通过使用第三根白线施加外部TTL输入信号(例如来自函数发生器),LDT系列激光系统可在0和全功率之间进行TTL调制。如果TTL输入为低,则激光电源完全关闭。如果TTL输入为高,则激光输出为全功率。TTL信号可以是任何通-断时间组合。如果白线和红线连接在一起,也可以通过向TTL输入施加高信号来连续操作。