• 激光二极管 faxd-808-4.5w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 4500mW

    FAXD-808-4.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为4.5W的半导体激光器808nm。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-808-7.5w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 7500mW

    FAXD-808-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模半导体激光器,在808nm处连续输出功率为7.5W。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-830-100s-btf 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FAXD-830-100S-BTF是一种光纤耦合单模半导体激光器,在830nm处连续输出功率为100mW。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-915-1.5w-fc100 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 1500mW

    FAXD-915-1.5W-FC100是915nm处连续输出功率为1.5W的光纤耦合多模半导体激光器。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-915-200s-bt 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 200mW

    FAXD-915-200S-BT是光纤耦合单模连续输出功率为200mW的半导体激光器915nm。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-915-2w-fc100 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 2000mW

    FAXD-915-2W-FC100是一款光纤耦合多模连续输出功率为2W的半导体激光器915nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,并适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-940-200s-bt 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.940um 输出功率: 200mW

    FAXD-940-200S-BT是一种光纤耦合单模连续输出功率为200mW的半导体激光器940牛米。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-10w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 10000mW

    FAXD-975-10W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为10W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-180s-bt 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 180mW

    FAXD-975-180S-BT是一种在975nm处连续输出180mW功率的光纤耦合单模半导体激光器。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-220s-bt 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 220mW

    FAXD-975-220S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器,在975nm处具有220mW的连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-300s-bt 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 300mW

    FAXD-975-300S-BT是一种光纤耦合单模连续输出功率为300mW的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-4.5w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 4500mW

    FAXD-975-4.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为4.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,并适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-7.5w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 7500mW

    FAXD-975-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为7.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,并适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FF-14YY-XXXS-BTF-FBG 半导体激光器
    德国
    输出功率: 360mW

    FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器,例如用于光传输系统的拉曼放大器,尤其是密集波分复用(DWDM)系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤,并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求,并在ISOTM9001认证生产线上制造。

  • 激光二极管FJLD-100S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-100S-785-TO56-70TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器,专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-120S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 120mW

    FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管flo-450 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 400mW

    FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出,适用于各种光电系统。

  • 激光二极管flo-550 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 500mW

    FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。

  • 激光二极管flo-950 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.725um 输出功率: 300mW

    FLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器,采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。