TECRL系列热电冷却激光器是一款紧凑、独立、高度可靠的激光器，工作波长和功率非常稳定。内置温度控制器可将激光器温度稳定在+/-0.01C范围内。激光输出长期稳定性<1%。该激光器具有极其稳定的功率、低噪声和出色的光束指向稳定性，是生物分析、测量和成像应用的理想选择。TECRL系列激光器配有电源，可实现即插即用操作。TECRL系列激光器可定制，以添加光束整形光学器件、外部调制和多模光纤。

OSI激光二极管公司'1310nm和1550nm法布里-珀罗激光器具有良好的输出功率和波长稳定性。这些模块非常适合用于短距离、中距离和长距离电信系统，如SONET、SDH和以太网或光纤通道系统。器件可带或不带TEC和温度感应热敏电阻。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

高能量和高功率钨狭缝旨在用于使用高功率激光器作为源的系统的光学传递组件中。对于Q开关应用，考虑高反射狭缝盘表面和非常高熔化温度的盘材料。钨狭缝具有X射线、电子显微镜和辐射应用。我们将根据您的装配环境参数定制孔径支架。

钨孔用于高能量和功率应用中，并且旨在用于使用高功率激光器作为光源的系统的光学传输组件中，一个实际的例子是空间滤波器组件中的孔。对于Q开关应用和高级光子源，考虑高反射孔径盘表面和非常高熔化温度的盘材料。我们将根据您的装配环境参数定制孔径支架。将莱诺克斯激光钨孔与我们的新型高功率MT-1系列支架相结合，为您的高功率应用提供完整的封装。

我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

Laser 2000的IPSAD1301是一款光纤放大器，交流电压为110-240 VAC，噪声系数为7-7.5 dB，波长为1280至1340 nm，工作温度为-20至70摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关IPSAD1301的更多详细信息，请联系我们。

来自DICON FiberOptics的MG4-MXN是一款光纤开关，插入损耗为1.8 dB、2.0 dB，工作温度为-5至70摄氏度，光功率为500 MW，偏振相关损耗为0.3 dB，存储温度为-40至85摄氏度。MG4-MXN的更多详细信息可在下面查看。

来自DICON FiberOptics的MLC-1x24是一款光纤开关，插入损耗为1.0 dB，工作温度为-5至70摄氏度，光功率为500 MW，偏振相关损耗为0.15 dB，存储温度为-40至85摄氏度。有关MLC-1x24的更多详细信息，请联系我们。

来自DICON FiberOptics的MLC-1x32是一款光纤开关，插入损耗为1.2 dB，工作温度为-5至70摄氏度，光功率为500 MW，偏振相关损耗为0.15 dB，存储温度为-40至85摄氏度。有关MLC-1x32的更多详细信息，请联系我们。

DICON FiberOptics的MLP-1X4是一款光纤开关，插入损耗为1.0 dB，工作温度为-5至70摄氏度，光功率为500 MW，存储温度为-40至85摄氏度，波长为1290至1610 nm.有关MLP-1x4的更多详细信息，请联系我们。