• 680纳米VCSEL V00146 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 1.7-5.5 W 储存温度: -40 to 125°C 工作温度: -20°C to 50°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    多横模680nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长:680nm;裸片尺寸:0.22毫米X 0.22毫米;单孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A

    货号:V00151;裸片尺寸:0.52毫米X 0.52毫米100孔;建议的较大峰值功率连续波,100%直流:0.5W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:1W;推荐较大峰值功率5纳秒,0.1%直流:5瓦

  • 850纳米VCSEL V00027 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00027;裸片尺寸:0.87毫米X 0.87毫米281孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

    货号:V00124;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:9W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 850纳米VCSEL V00029 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

    货号:V00029;裸片尺寸:1.26毫米X 1.26毫米770孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

    货号:V00133;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:78W

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00013;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:1.5mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:3mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

    货号:V00002;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:15mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

    850nm多模3孔径VCSEL,专为需要高效光功率源的应用而设计。货号:V00147;波长:850;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:70mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:150mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:300mW

  • CW: TDFA-CW 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    放大器类型: TDFA Amplifier 输出类型: Pulse 输入功率: -10 dBm 波长: 1940 to 2010 nm

    Nuphoton Technologies,Inc.的CW:TDFA-CW是一种光纤放大器,电源电压为24 V,输入功率为-10 dBm,信号增益为30 dB,波长为1940至2010 nm,工作温度为-5至50摄氏度。

  • EDFA-CW-1520 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    放大器类型: EDFA Amplifier 输出类型: CW 输入功率: -20 to 40 dBm 波长: 1505 to 1520 nm

    Nuphoton Technologies,Inc.的EDFA-CW-1520是一种光纤放大器,其电源电压为4.75-5.25 V,输入功率为-20至40 dBm,波长为1505至1520 nm,工作温度为-5至65摄氏度。EDFA-CW-1520的更多详细信息可参见下文。

  • EDFA-CW- C和L波段 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    放大器类型: EDFA Amplifier 输出类型: CW 波长: 1528 to 1605 nm

    来自Nuphoton Technologies,Inc.的EDFA-CW-C和L波段是具有4.75-5.25V的电源电压、0.5-1.0dB的信号增益、1528到1605nm的波长、-5到65℃的工作温度的光纤放大器。EDFA-CW-C和L波段的更多细节可以在下面看到。

  • EDFA-CW-HP 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    放大器类型: EDFA Amplifier 输出类型: CW 波长: 1535 to 1610 nm

    Nuphoton Technologies,Inc.的EDFA-CW-HP是一种光纤放大器,电源电压为5-24V,波长为1535-1610nm,工作温度为-5℃至50℃。EDFA-CW-HP的更多详细信息见下文。