1964年，贝尔实验室首次演示了掺杂三价钕的钇铝石榴石作为激光增益介质的操作[1]。今天，Nd：YAG已经在固体激光材料中取得了主导地位，成为世界范围内使用较广泛的激光介质，应用于医疗、工业、军事和科学市场。Nd：YAG激光器通常发射1064nm的红外光，但也使用940、1120、1320和1440nm附近的其他跃迁[2]。在SM，我们专注于高纯度低损耗稀土掺杂YAG激光材料的生长和制造。SM的研究带来了许多发现，使激光材料表现出更高的效率、更大的输出功率、更高的抗损性、更低的热透镜效应、更高亮度和更高TEM00输出。我们为您的大批量生产或小批量开发工作提供激光棒、平板、光盘、无源Q开关和YAG光学器件的定制制造。

精密USB2.0设备将自准直仪和准直望远镜的功能与激光束仿形能力相结合。该系统测量各种光学设置和对准任务的微小角位移，以及激光束发散分析。该系统提供便携、紧凑和精确的光束对准解决方案。我们的精密电子自动准直仪具有内置调节功能，如水平气泡、调节云台旋钮，增强了前所未有的校准程序（在激光器、设备的光学和机械轴之间）。

Naneo提供各种类型的激光分束器。可以使分割比对偏振不敏感，例如中性分束器（BSN）。通过相位偏振控制分束器（BSPP）中的相位控制来保持S偏振和P偏振的相位。色散控制分束器（BSDC）提供群速度色散控制。分束器采用Naneo专有的精密镀膜技术在IBS（离子束溅射）镀膜机上制造。NANEO实现了独特的层厚精度。在光学涂层技术中，IBS提供了较致密、低损耗、稳定和耐久的光学涂层。

掺有铬、铥和钬离子的Ho，Cr，TM：YAG-钇铝石榴石激光晶体在2.13微米处提供激光的应用越来越多，特别是在医疗行业。YAG的物理、热学和光学特性是每个激光器设计者所熟知和了解的，它在外科手术、牙科、大气测试等方面有着广泛的应用。

FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-808X是808nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-808X光源是CW多模注入半导体激光二极管。它是采用9mm TO外壳和TO-3封装，内置TEC、热敏电阻来控制激光二极管芯片的温度，并监控光电二极管以稳定输出功率。光学输出窗口由蓝宝石玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-850X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-850X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-860X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-860X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

FKLD-7S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-7S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头（DVD+CDRW组合驱动器）和其他光电系统。

FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。

FLO-601–基于InGaAsP/InP异质结构的单模FP激光器，连续输出功率为10mW，发射波长为1470~1490nm。激光二极管采用INSOT-148（9mm）外壳，内置监控光电二极管，可在宽温度范围内工作，具有高输出功率稳定性和超过105小时的使用寿命。FLO-601–是报警和光学同步的较佳光源。

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。