用于传感器的 25mW 850 nm VCSEL 芯片

用于传感器的 100mW 850 nm VCSEL 芯片

1 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片，60 摄氏度

2 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片，60 摄氏度

8mW 850 nm VCSEL 芯片

30mW 850 nm 高斯光束 VCSEL 芯片

用于传感器的 8mW 940 nm VCSEL 芯片

1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度

2 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度

用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片

来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。

1290nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在紧凑的同轴外壳中，配有单模光纤尾纤。适用于光纤传感、激光传输和光通信应用，具有低驱动电流和温度稳定性。

1060 nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）采用紧凑的同轴外壳，配有单模光纤尾纤，专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。其驱动电流非常低，并可以通过内置TEC进行温度稳定。

1310 nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）采用紧凑的同轴外壳，配备单模光纤尾纤，专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。它需要非常低的驱动电流，并可通过内置的TEC进行温度稳定。

VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。

V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。